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J-GLOBAL ID：201902274104580988   整理番号：19A1415340

GaNにおける炭素関連エネルギー準位の第一原理研究 II 炭素および水素,シリコンまたは酸素により形成された錯体【JST・京大機械翻訳】

A first-principles study of carbon-related energy levels in GaN. II. Complexes formed by carbon and hydrogen, silicon or oxygen

著者 (2件)： Matsubara Masahiko (Department of Electrical and Computer Engineering, Boston University, 8 St. Mary’s Street, Boston, Massachusetts 02215, USA) ,  Bellotti Enrico (Department of Electrical and Computer Engineering, Boston University, 8 St. Mary’s Street, Boston, Massachusetts 02215, USA)
資料名： Journal of Applied Physics  (Journal of Applied Physics)
巻： 121  号： 19  ページ： 195702-195702-16  発行年： 2017年 
JST資料番号： C0266A  ISSN： 0021-8979  CODEN： JAPIAU  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本研究では,非ドープGaNにおける主要な意図的でない不純物である水素,ケイ素または酸素から成る錯体の特性を詳細に調べた。本論文は,炭素-炭素および炭素-空格子点錯体に関する著者らの以前の研究の補完である。一般化Kohn-Sham密度汎関数理論の枠内でHeyd-Scuseria-Ernzerhofハイブリッド汎関数を用いた第一原理法を用いた。異なる電荷状態における2つのH-C,4つのSi-C,および5つのO-C錯体を考察した。完全な幾何学的緩和の後,形成エネルギー,結合エネルギー,および熱的および光学的遷移レベルを得た。計算したエネルギー準位を実験的に観測した炭素関連トラップ準位と系統的に比較した。さらに,選択した欠陥複合体の振動周波数を計算し,欠陥濃度を低,中,高炭素ドーピングシナリオにおいて,電気的に活性な欠陥(a)炭素と空格子点だけでなく,炭素と空格子点だけでなく水素,ケイ素,および酸素の2つの異なるケースを考慮して計算した。C_NがGaNの主要なアクセプタであることを確認した。それに加えて,かなりの量のSi_Ga-C_N錯体が中性形で存在した。この錯体はアンドープn型GaNで観測された炭素の未知の形の候補である。Copyright 2019 AIP Publishing LLC All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 複合欠陥 ,  アクセプタ ,  *ケイ素 ,  *第一原理 ,  *炭素 ,  密度汎関数法 ,  *窒化ガリウム ,  *エネルギー準位 ,  *酸素 ,  *水素 ,  空格子点 ,  ドーピング ,  *錯体 ,  不純物
準シソーラス用語： ハイブリッド汎関数 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 半導体の格子欠陥  (BK12040Q) ,  不純物・欠陥の電子構造  (BM02100I)

タイトルに関連する用語 (9件)： GaN ,  炭素 ,  エネルギー準位 ,  第一原理 ,  研究 ,  水素 ,  シリコン ,  酸素 ,  錯体