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J-GLOBAL ID：201902274624450036   整理番号：19A1903209

a-Si:H/c-Siヘテロ界面における水素濃度 不動態化性能に及ぼす堆積温度の影響【JST・京大機械翻訳】

Hydrogen concentration at a-Si:H/c-Si heterointerfaces-The impact of deposition temperature on passivation performance

著者 (7件)： Gotoh Kazuhiro (Department of Materials Process Engineering, Graduate School of Engineering, Nagoya University, Furo-cho, Chikusa-ku, Aichi 464-8603, Japan) ,  Wilde Markus (Institute of Industrial Science, The University of Tokyo, 4-6-1 Komaba, Meguro-ku, Tokyo 153-8505, Japan) ,  Kato Shinya (Department of Electrical and Electronic Engineering, Graduate School of Engineering, Nagoya Institute of Technology, Gokisho-cho, Showa-ku, Nagoya 466-8555, Japan) ,  Ogura Shohei (Institute of Industrial Science, The University of Tokyo, 4-6-1 Komaba, Meguro-ku, Tokyo 153-8505, Japan) ,  Kurokawa Yasuyoshi (Department of Materials Process Engineering, Graduate School of Engineering, Nagoya University, Furo-cho, Chikusa-ku, Aichi 464-8603, Japan) ,  Fukutani Katsuyuki (Institute of Industrial Science, The University of Tokyo, 4-6-1 Komaba, Meguro-ku, Tokyo 153-8505, Japan) ,  Usami Noritaka (Department of Materials Process Engineering, Graduate School of Engineering, Nagoya University, Furo-cho, Chikusa-ku, Aichi 464-8603, Japan)
資料名： AIP Advances (Web)  (AIP Advances (Web))
巻： 9  号： 7  ページ： 075115-075115-7  発行年： 2019年 
JST資料番号： U7121A  ISSN： 2158-3226  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 高効率太陽電池構造のモデルとして水素化非晶質シリコン(a-Si:H)被覆結晶シリコン(c-Si)ヘテロ接合の水素分布と不動態化性能に及ぼす蒸着温度の影響を研究した。核反応分析(NRA)を用いて,80~180°Cの温度で調製したヘテロ接合の水素深さプロファイルを得た。暗示された開回路電圧(i-V_OC)とキャリア寿命は蒸着温度の増加と共に単調に増加した。NRAは,a-Si:H/c-Si界面およびa-Si:H層における水素濃度(C_H)が蒸着温度と共に減少することを明らかにした。界面付近の水素濃度は180°Cで堆積した試料に対して約3×10~21cm-3であった。NRAの結果は分光エリプソメトリ(SE)で得られた光学定数によって補足される。より高い成長温度では,より大きな屈折率と消光係数がSE分析により確認され,より高い成長温度で調製されたa-Si:H層中により少ない水素原子が組み込まれていることを示唆した。さらに,不動態化性能は,200°C,30分間のポスト堆積アニーリング(PDA)によって強化された。PDA後に水素分布と光学定数の有意な変化は観測されず,改善された不動態化は分子レベルでの水素の局所的再配列によることが示唆された。これはダングリングボンドの水素化の増強をもたらす。Copyright 2019 AIP Publishing LLC All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： ヘテロ接合 ,  *界面 ,  被覆 ,  焼なまし ,  深さプロフィル ,  *水素 ,  ダングリングボンド ,  太陽電池 ,  水素化 ,  *不動態化 ,  アモルファスシリコン
準シソーラス用語： *a-Si:H ,  開回路電圧 ,  *水素濃度 ,  *ヘテロ界面 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (3件)： 金属結晶の磁性  (BM06040T) ,  対流・放射熱伝達  (PA02030K) ,  プラズマ診断  (BJ02090L)

タイトルに関連する用語 (5件)： Si ,  ヘテロ界面 ,  水素濃度 ,  不動態化 ,  堆積