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J-GLOBAL ID：201902274777678397   整理番号：19A0029515

22%の効率的なドーパントを含まない交差接触シリコン太陽電池【JST・京大機械翻訳】

22% efficient dopant-free interdigitated back contact silicon solar cells

著者 (9件)： Wu Weiliang (Institute for Solar Energy Systems, School of Physics and State Key Laboratory of Optoelectronic Materials and Technologies, Sun Yat-Sen University (SYSU), Guangzhou, China) ,  Lin Wenjie (Institute for Solar Energy Systems, School of Physics and State Key Laboratory of Optoelectronic Materials and Technologies, Sun Yat-Sen University (SYSU), Guangzhou, China) ,  Zhong Sihua (Photovoltaics and Thin Film Electronics Laboratory, Institute of Microengineering, Ecole Polytechnique Federale de Lausanne (EPFL), Rue de la Maladiere 71b, CH-2000 Neuchatel, Switzerland) ,  Paviet-Salomon Bertrand (Centre Suisse d’Electronique et de Microtechnique (CSEM), PV-Center, Rue Jaquet-Droz 1, CH-2002 Neuchatel, Switzerland) ,  Despeisse Matthieu (Centre Suisse d’Electronique et de Microtechnique (CSEM), PV-Center, Rue Jaquet-Droz 1, CH-2002 Neuchatel, Switzerland) ,  Liang Zongcun (Institute for Solar Energy Systems, School of Physics and State Key Laboratory of Optoelectronic Materials and Technologies, Sun Yat-Sen University (SYSU), Guangzhou, China) ,  Boccard Mathieu (Photovoltaics and Thin Film Electronics Laboratory, Institute of Microengineering, Ecole Polytechnique Federale de Lausanne (EPFL), Rue de la Maladiere 71b, CH-2000 Neuchatel, Switzerland) ,  Shen Hui (Institute for Solar Energy Systems, School of Physics and State Key Laboratory of Optoelectronic Materials and Technologies, Sun Yat-Sen University (SYSU), Guangzhou, China) ,  Ballif Christophe (Photovoltaics and Thin Film Electronics Laboratory, Institute of Microengineering, Ecole Polytechnique Federale de Lausanne (EPFL), Rue de la Maladiere 71b, CH-2000 Neuchatel, Switzerland)
資料名： AIP Conference Proceedings  (AIP Conference Proceedings)
巻： 1999  号： 1  ページ： 040025-040025-6  発行年： 2018年 
JST資料番号： D0071C  ISSN： 0094-243X  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本研究では,低温での熱蒸着プロセスを用いて堆積させた正孔および電子選択接触としてMoO_xおよびMgF_xベースのスタックを用いた無ドープ背面接触ヘテロ接合シリコン太陽電池を提示した。この簡単なプロセスフローでは,2つのマスキングステップと1つのアラインメントだけが必要である。IBC Si太陽電池上の裏面上の電子接触層としてMgF_x膜厚を変化させる効果を調べ,高いV_OCとFFに対して最適厚さ1.5nmのMgF_xを定義した。Mg基とフッ化物材料を含む異なる電子選択接触材料を比較し,適切な組合せを検討した。真性a-Si:H上に1.5nmのMgF_2/70nmのAl/800nmのAg膜のスタックを適用し,優れた不動態化を維持し,効率的なキャリア抽出を示すことにより,無ドープ背面接触太陽電池を作製した。これらの層で作製された4.5cm~2の無ドープ背面接触太陽電池は,709mVまでの高いV_OCと75.6%までのFFを,あまりに薄い金属層による直列抵抗によって制限され,84.2%の擬似FFがまだ測定されている。セルは,非常に低い前面反射を示し,顕著な収集効率を持ち,IQEは,MoO_xとMgF_x接触の低い再結合により,600~900nmの範囲で98.2%~99%に達し,41.5mA/cm_2の高いJ_SCをもたらした。Copyright 2019 AIP Publishing LLC All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 再結合 ,  膜厚 ,  アラインメント ,  銀 ,  ヘテロ接合 ,  アルミニウム ,  マグネシウム ,  マスキング ,  不動態化 ,  正孔 ,  フッ化物 ,  低温 ,  *ドーパント ,  ドーピング ,  *太陽電池
準シソーラス用語： *シリコン太陽電池 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 太陽電池  (NC03084O)

タイトルに関連する用語 (3件)： ドーパント ,  交差 ,  シリコン太陽電池