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J-GLOBAL ID：201902274819275296   整理番号：19A1415056

GaSbベース赤外検出器における表面漏れ制御のための網状浅エッチメサ分離【JST・京大機械翻訳】

Reticulated shallow etch mesa isolation for controlling surface leakage in GaSb-based infrared detectors

著者 (10件)： Nolde J. A. (U.S. Naval Research Laboratory, 4555 Overlook Ave. SW, Washington, DC 20375, USA) ,  Jackson E. M. (U.S. Naval Research Laboratory, 4555 Overlook Ave. SW, Washington, DC 20375, USA) ,  Bennett M. F. (Sotera Defense Solutions, Inc., 7230 Lee Deforest Dr. Suite 100, Columbia, Maryland 21046, USA) ,  Affouda C. A. (U.S. Naval Research Laboratory, 4555 Overlook Ave. SW, Washington, DC 20375, USA) ,  Cleveland E. R. (U.S. Naval Research Laboratory, 4555 Overlook Ave. SW, Washington, DC 20375, USA) ,  Canedy C. L. (U.S. Naval Research Laboratory, 4555 Overlook Ave. SW, Washington, DC 20375, USA) ,  Vurgaftman I. (U.S. Naval Research Laboratory, 4555 Overlook Ave. SW, Washington, DC 20375, USA) ,  Jernigan G. G. (U.S. Naval Research Laboratory, 4555 Overlook Ave. SW, Washington, DC 20375, USA) ,  Meyer J. R. (U.S. Naval Research Laboratory, 4555 Overlook Ave. SW, Washington, DC 20375, USA) ,  Aifer E. H. (U.S. Naval Research Laboratory, 4555 Overlook Ave. SW, Washington, DC 20375, USA)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 111  号： 5  ページ： 051102-051102-5  発行年： 2017年 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： InAsリッチII型超格子(T2SL)で構成されたp型吸収体を用いた長波赤外検出器は,エッチングされた側壁上のキャリア反転による高い表面電流をほとんど受ける。ここでは,網状の浅いエッチメサアイソレーション(RSEMI)を実証した:p型T2SL吸収体を有する長波単一バンドおよび中波長/長波二重バンド検出器における表面電流を低減する構造的方法。n+陰極と反転吸収体表面の間の分離を増加させるために横方向の肩を導入することによって,表面電子流に対する実質的な障壁が形成される。RSEMIプロセスは,より低い表面電流,より低い正味の暗電流,バイアスに対する電流のより弱い依存性,および単一の深いエッチで処理されたメサと比較してより高い均一性をもたらすことを実験的に実証した。用いた構造では,2μmのショルダー幅が表面電流をブロックするのに十分である。Copyright 2019 AIP Publishing LLC All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 電流 ,  表面電流 ,  ヒ化インジウム ,  超格子 ,  バイアス ,  *アンチモン化ガリウム ,  *赤外検出器 ,  中波 ,  吸収体 ,  暗電流 ,  カソード ,  *検出器
準シソーラス用語： 電子流 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (3件)： 酸化物薄膜  (BK14050P) ,  発光素子  (NC03082G) ,  半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (2件)： GaSb ,  赤外検出器