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J-GLOBAL ID：201902275984803625   整理番号：19A1629482

絶縁体Al_2O_3層を持つ有機P_3HT膜に基づくMIS構造のアドミタンスの周波数依存性のモデリングの特異性【JST・京大機械翻訳】

Peculiarities of Modeling the Frequency Dependences of Admittance of MIS Structure Based on Organic P3HT Film with an Insulator Al₂O₃ Layer

著者 (4件)： Voitsekhovskii A. V. (National Research Tomsk State University, Tomsk, Russia) ,  Voitsekhovskii A. V. (V. D. Kuznetsov Siberian Physical Technical Institute at Tomsk State University, Tomsk, Russia) ,  Nesmelov S. N. (National Research Tomsk State University, Tomsk, Russia) ,  Dzyadukh S. M. (National Research Tomsk State University, Tomsk, Russia)
資料名： Russian Physics Journal  (Russian Physics Journal)
巻： 61  号： 11  ページ： 2126-2134  発行年： 2019年 
JST資料番号： A1030A  ISSN： 1064-8887  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 枯渇と蓄積モードに対して,Al_2O_3絶縁体を有する有機P3HT薄膜に基づくMIS構造の等価回路を提案した。有機MIS構造の容量とコンダクタンスの周波数依存性を20Hz~2MHzの周波数範囲で300Kの温度でシミュレートした。静電容量とコンダクタンスの測定値は,絶縁層の厚さ,有機膜の厚さと比コンダクタンス,表面トラップのパラメータ,周波数とバイアス電圧に実質的に依存することを示した。無機絶縁体-有機膜界面におけるトラップの正しい特性評価のための等価回路の基本要素の値を決定する方法を記述した。Copyright 2019 Springer Science+Business Media, LLC, part of Springer Nature Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 薄膜 ,  *MIS構造 ,  コンダクタンス ,  界面 ,  静電容量 ,  *絶縁体 ,  *周波数依存性 ,  等価回路 ,  キャラクタリゼーション ,  *モデリング
準シソーラス用語： バイアス電圧 ,  絶縁層 ,  *特異性 ,  *アドミタンス , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (8件)： ハイブリッド有機-無機系 ,  MIS構造 ,  有機半導体 ,  アドミタンス ,  電気診断 ,  コンダクタンスの周波数依存性 ,  薄膜 ,  界面トラップ

分類 (1件)： 気体放電  (BJ03020T)

タイトルに関連する用語 (6件)： 絶縁体 ,  MIS構造 ,  アドミタンス ,  周波数依存性 ,  モデリング ,  特異性