KIMURA Takumi について
Nagoya Univ., Nagoya, JPN について
DONG Xiayin について
Nagoya Univ., Nagoya, JPN について
ADACHI Kanta について
Nagoya Univ., Nagoya, JPN について
OSHIMA Daiki について
Nagoya Univ., Nagoya, JPN について
KATO Takeshi について
Nagoya Univ., Nagoya, JPN について
SONOBE Yoshiaki について
Samsung R&D Inst. Japan, Yokohama, JPN について
OKAMOTO Satoshi について
Tohoku Univ., Sendai, JPN について
KIKUCHI Nobuaki について
Tohoku Univ., Sendai, JPN について
KAWATO Yoshiaki について
Samsung R&D Inst. Japan, Yokohama, JPN について
Osamu Kitakami について
Tohoku Univ., Sendai, JPN について
IWATA Satoshi について
Nagoya Univ., Nagoya, JPN について
Japanese Journal of Applied Physics について
コバルト について
パラジウム について
磁性薄膜 について
多層膜 について
トルク について
スイッチング について
減衰 について
ナノ構造 について
柱 について
臨界電流密度 について
磁性多層膜 について
スピントランスファトルク について
Gilbert減衰 について
ナノピラー について
磁電デバイス について
磁性材料 について
CO について
Pd について
多層膜 について
ギルバート減衰 について