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J-GLOBAL ID:201902276383665662   整理番号:19A0890942

水素をドープした高圧キセノンにおける電子移動度と縦拡散係数の測定

Measurements of electron mobility and longitudinal diffusion coefficient in high pressure xenon doped with hydrogen
著者 (5件):
資料名:
巻: 58  号:ページ: 038001.1-038001.3  発行年: 2019年03月 
JST資料番号: G0520B  ISSN: 0021-4922  CODEN: JJAPB6  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 短報  発行国: イギリス (GBR)  言語: 英語 (EN)
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1.0MPaの圧力と0.1%,0.21%,0.42%のH2濃度で水素をドープした高圧キセノン中で,電子移動度と縦方向拡散係数を測定した。密度正規化縦拡散係数は,H2濃度の増加と共に,Xe+H2ガス混合物中で増加することが分かった。しかし,縦方向拡散の大きさの変化は,H2ガスのドーピングにより顕著ではなかった。ガス混合物中の電子輸送パラメータに対するスケーリング則は,高い還元電場に対する移動度と縦方向拡散係数に適用できる。(翻訳著者抄録)
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分類 (1件):
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気体の輸送現象 
引用文献 (22件):
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