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J-GLOBAL ID：201902276581756206   整理番号：19A1376633

金誘起層交換成長法で作製したGe薄膜における電気伝導特性の理解

著者 (8件)： 東英実 (大阪大 基礎工) ,  笠原健司 (福大 理) ,  工藤康平 (大阪大 基礎工) ,  山田晋也 (大阪大 基礎工) ,  金島岳 (大阪大 基礎工) ,  角田功 (熊本高専) ,  中島寛 (九大 GIC) ,  浜屋宏平 (大阪大 基礎工)
資料名： 応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Spring Meeting (CD-ROM))
巻： 66th  ページ： ROMBUNNO.12p-M113-2  発行年： 2019年02月25日 
JST資料番号： Y0054B  ISSN： 2436-7613  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

本文一部表示： これまで我々は,金誘起層交換成長(GIC)法[1]を用いて,ガラス基板及びフレキシブル基板上に結晶粒径が500 μm以上の擬似単結晶Ge (PSC-Ge)薄膜を作製することに成功し[2],300 Kにおける正孔キャリア密度が1017 ~ 1...【本文一部表示】

シソーラス用語： *ゲルマニウム ,  *半導体薄膜 ,  電気伝導 ,  *金 ,  基板 ,  電気装置部品 ,  *Hall移動度 ,  結晶核形成 ,  *触媒
準シソーラス用語： ガラス基板

分類 (2件)： 半導体の結晶成長  (BK13040X) ,  半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (8件)： 金 ,  誘起 ,  成長 ,  作製 ,  Ge ,  薄膜 ,  電気伝導特性 ,  理解