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J-GLOBAL ID：201902276786203095   整理番号：19A0921999

雑音源インピーダンスを抽出した単相SiC MOSFETインバータのEMIフィルタ設計【JST・京大機械翻訳】

EMI filter design of single-phase SiC MOSFET inverter with extracted noise source impedance

著者 (6件)： Liu Yitao (College of Mechatronics and Control Engineering, Shenzhen University, Shenzhen 518060, China) ,  Jiang Shiqi (College of Mechatronics and Control Engineering, Shenzhen University, Shenzhen 518060, China) ,  Wang Huaizhi (College of Mechatronics and Control Engineering, Shenzhen University, Shenzhen 518060, China) ,  Wang Guibin (College of Mechatronics and Control Engineering, Shenzhen University, Shenzhen 518060, China) ,  Yin Jian (College of Mechatronics and Control Engineering, Shenzhen University, Shenzhen 518060, China) ,  Peng Jianchun (College of Mechatronics and Control Engineering, Shenzhen University, Shenzhen 518060, China)
資料名： IEEE Electromagnetic Compatibility Magazine  (IEEE Electromagnetic Compatibility Magazine)
巻： 8  号： 1  ページ： 45-53  発行年： 2019年 
JST資料番号： W2312A  ISSN： 2162-2264  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本論文は,単相SiC MOSFETインバータのための電磁干渉(EMI)フィルタ設計手順を提示した。EMIフィルタ性能が正確で効果的であることを保証するために,一般モード(CM)と差動モード(DM)雑音モデルの等価雑音源インピーダンスを抽出した。次に,CMとDM EMIフィルタを,それぞれ既知のCMとDMノイズ源インピーダンスに基づいて設計することができた。提案した方法に基づくEMIフィルタ設計をシミュレーションと実験により検証した。シミュレーションと実験結果は,提案方法の有効性を確かめた。Copyright 2019 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *単相 ,  *雑音発生器 ,  *フィルタ設計 ,  電磁干渉 ,  *インピーダンス ,  *フィルタ ,  有効性
準シソーラス用語： 雑音モデル ,  差動モード , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 雑音一般  (ND04010J) ,  雑音測定  (ND04030F)

タイトルに関連する用語 (8件)： 雑音源 ,  インピーダンス ,  単相 ,  SiC ,  MOSFET ,  インバータ ,  EMI ,  フィルタ設計