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J-GLOBAL ID：201902277095186724   整理番号：19A1415951

低劣化導電性ブリッジ抵抗メモリ素子の数値解析と実験的実証【JST・京大機械翻訳】

A numerical analysis and experimental demonstration of a low degradation conductive bridge resistive memory device

著者 (3件)： Berco Dan (Nanyang Technological University, School of Electrical and Electronic Engineering, 50 Nanyang Avenue, Singapore, Singapore 639798) ,  Chand Umesh (Computer, Electrical and Mathematical Sciences & Engineering (CEMSE) Division, King Abdullah University of Science and Technology (KAUST), Thuwal, Saudi Arabia) ,  Fariborzi Hossein (Computer, Electrical and Mathematical Sciences & Engineering (CEMSE) Division, King Abdullah University of Science and Technology (KAUST), Thuwal, Saudi Arabia)
資料名： Journal of Applied Physics  (Journal of Applied Physics)
巻： 122  号： 16  ページ： 164502-164502-10  発行年： 2017年 
JST資料番号： C0266A  ISSN： 0021-8979  CODEN： JAPIAU  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本研究では,低劣化金属イオン伝導性ブリッジRAM(CBRAM)構造を研究した。この構造は,デバイスの上部電極(TE)と抵抗スイッチング層(RSL)の間に拡散ブロッキング層(DBL)を配置することに基づいており,TEはRSLに拡散する金属種の供給リザーバとして機能し,導電性フィラメント(CF)を形成し,RSLと直接接触する。通常のCBRAM構造(Cu/HfO_2/TiN)の特性を,Cu TE,10nm HfO_2 RSL,およびTiN底電極を有し,10~3プログラミングおよび消去シミュレーションサイクルのために,構造(Cu/TaN/HfO_2/TiN)を組み込んだ2nm TaN DBLと比較した。各サイクルに対する低および高抵抗状態値を計算し,解析により,DBLの添加がより低い分解をもたらすことを明らかにした。さらに,RSL内の酸素空格子点,Oイオン,およびCu種の2D分布プロットは,DBL-RSL界面で起こる酸化が,初期CF形成相を超えた更なるCu挿入を抑制するより高いブロッキング能力をもつ準化学量論的タンタル酸窒化物の形成と,サイクル中のCF横方向拡大をもたらすことを示した。DBLによる構造のより高い耐久性は,このように,初期CF形成の間にRSLに移動する比較的少量のCuに起因する可能性がある。さらに,この同形CFは,神経イオンチャンネルに類似のサイクル挙動を示した。数値解析の結果は,同様のデバイス構造の実験測定と良い一致を示した。Copyright 2019 AIP Publishing LLC All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 界面 ,  二次元 ,  ブロッキング ,  *数値解析 ,  素子構造 ,  イオン ,  *導電性 ,  銅 ,  耐久性 ,  イオン伝導 ,  *記憶素子
準シソーラス用語： 酸素空格子点 ,  窒化チタン ,  リザーバー ,  抵抗スイッチング , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： その他の無機化合物の電気伝導  (BM03044O)

タイトルに関連する用語 (6件)： 導電性 ,  ブリッジ ,  メモリ素子 ,  数値解析 ,  実験 ,  実証