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J-GLOBAL ID：201902277119979929   整理番号：19A1375714

反転層チャネルダイヤモンドMOSFETの実証

著者 (11件)： 松本翼 (金沢大) ,  加藤宙光 (産業技術総合研) ,  小山和博 (デンソー) ,  牧野俊晴 (産業技術総合研) ,  小倉政彦 (産業技術総合研) ,  竹内大輔 (産業技術総合研) ,  猪熊孝夫 (金沢大) ,  山崎聡 (金沢大) ,  山崎聡 (産業技術総合研) ,  徳田規夫 (金沢大) ,  徳田規夫 (産業技術総合研)
資料名： 応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Spring Meeting (CD-ROM))
巻： 66th  ページ： ROMBUNNO.11p-M113-1  発行年： 2019年02月25日 
JST資料番号： Y0054B  ISSN： 2758-4704  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

本文一部表示： ダイヤモンド半導体は、高い絶縁破壊電界、高い熱伝導率、電子・正孔の高いキャリア移動度などの優位な物性値と、日本のレベルの高いSi技術の継承・発展に期待できるSiと同じIV族半導体のため、次世代の半導体デバイス、特に省エネルギー化を実現するパ...【本文一部表示】

シソーラス用語： *反転層 ,  *ダイヤモンド ,  *MOSFET ,  *特性 ,  ドーピング ,  半導体薄膜 ,  品質 ,  高品質 ,  窒素ドーピング ,  *鉱石 ,  *宝石
準シソーラス用語： *トランスファー特性 ,  窒素ドープ

分類 (2件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (5件)： 反転層 ,  チャネル ,  ダイヤモンド ,  MOSFET ,  実証