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J-GLOBAL ID：201902277507473267   整理番号：19A1415150

SiO_2/SiN_x/SiO_2バッファを持つ非晶質InGaZnO薄膜トランジスタのデバイス性能と安定性特性に及ぼす水素の影響【JST・京大機械翻訳】

Effect of hydrogen on the device performance and stability characteristics of amorphous InGaZnO thin-film transistors with a SiO₂/SiN_x/SiO₂ buffer

著者 (5件)： Han Ki-Lim (Division of Materials Science and Engineering, Hanyang University, 222 Wangsimni-ro Seongdong-gu, Seoul 04763, South Korea) ,  Ok Kyung-Chul (Division of Materials Science and Engineering, Hanyang University, 222 Wangsimni-ro Seongdong-gu, Seoul 04763, South Korea) ,  Cho Hyeon-Su (Division of Materials Science and Engineering, Hanyang University, 222 Wangsimni-ro Seongdong-gu, Seoul 04763, South Korea) ,  Oh Saeroonter (Division of Electrical Engineering, Hanyang University, Ansan, Gyeonggi-do, 15588, South Korea) ,  Park Jin-Seong (Division of Materials Science and Engineering, Hanyang University, 222 Wangsimni-ro Seongdong-gu, Seoul 04763, South Korea)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 111  号： 6  ページ： 063502-063502-5  発行年： 2017年 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 非晶質InGaZnO(a-IGZO)薄膜トランジスタ(TFT)上のSiO_2/SiN_x/SiO_2から成る多層バッファの影響を調べた。多層緩衝液は,柔軟なプラスチック基板からの水の浸透を抑制し,上にある有機層の劣化を防止する。多層バッファを有するa-IGZO TFTは,250°Cでのアニーリング後に,単一SiO_2バッファ層を有する素子と比較して,より正のバイアス温度応力不安定性を被った。SiN_x層からの水素は活性層に拡散し,SiO_2/a-IGZO界面近くの緩く束縛された酸素欠陥における電子トラッピングを減少させる。定量分析は,1.85×10~21cm~3の水素密度が信頼性に有益であることを示した。しかし,350°Cでアニールした多層バッファ素子は,2.12×10~21cm-3の高い水素密度からの過剰キャリア濃度により伝導特性をもたらした。Copyright 2019 AIP Publishing LLC All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 界面 ,  不安定性 ,  活性層 ,  *水素 ,  多層 ,  *非晶質 ,  *薄膜トランジスタ ,  バイアス ,  バッファ層 ,  過剰キャリア ,  焼なまし
準シソーラス用語： トラッピング ,  *一酸化ケイ素 ,  酸化インジウム・ガリウム・亜鉛 ,  有機層 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (5件)： 酸化物薄膜  (BK14050P) ,  発光素子  (NC03082G) ,  半導体のルミネセンス  (BM08092S) ,  半導体薄膜  (BK14040E) ,  金属-絶縁体-半導体構造  (BM03085X)

タイトルに関連する用語 (5件)： バッファ ,  非晶質 ,  トランジスタ ,  性特性 ,  水素