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J-GLOBAL ID：201902278210183168   整理番号：19A1409305

グラフェン上の超薄HfO_2膜の原子層堆積成長【JST・京大機械翻訳】

Atomic-Layer-Deposition Growth of an Ultrathin HfO₂ Film on Graphene

著者 (4件)： Xiao Mengmeng (Key Laboratory for the Physics and Chemistry of Nanodevices and Department of Electronics, Peking University, China) ,  Qiu Chenguang (Key Laboratory for the Physics and Chemistry of Nanodevices and Department of Electronics, Peking University, China) ,  Zhang Zhiyong (Key Laboratory for the Physics and Chemistry of Nanodevices and Department of Electronics, Peking University, China) ,  Peng Lian-Mao (Key Laboratory for the Physics and Chemistry of Nanodevices and Department of Electronics, Peking University, China)
資料名： ACS Applied Materials & Interfaces  (ACS Applied Materials & Interfaces)
巻： 9  号： 39  ページ： 34050-34056  発行年： 2017年10月04日 
JST資料番号： W2329A  ISSN： 1944-8244  CODEN： AAMICK  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： グラフェン上での高い均一性と高品質を有する極薄ゲート誘電体層の直接成長は,グラフェンの化学的に不活性な表面特性のために,グラフェンベースのトランジスタを開発するための課題のままである。ここでは,電子ビーム照射を用いてグラフェン表面を前修飾することにより,グラフェン上の超薄高κ誘電体層の原子層堆積(ALD)成長を実現する方法を開発した。電子ビーム走査により誘起された非晶質炭素層がグラフェン上に形成され,それから高κ誘電体のALD成長のためのシードとして作用する。1.3nmの等価酸化膜厚をもつ均一HfO_2層を,トップゲートグラフェン電界効果トランジスタ(FET)用のゲート誘電体として成長させた。得られたゲート静電容量は2.63μF/cm2に達し,これはグラフェン固体デバイス上の最高のゲート容量である。さらに,作製したトップゲートグラフェンFETは,最大2500cm2/(V_s)までの高いキャリア移動度と0.1mA/cm2までの無視できるゲート漏れ電流を示し,ALD成長HfO_2誘電体層が非常に均一で非常に高品質であることを示した。Copyright 2019 American Chemical Society All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 表面性状 ,  トランジスタ ,  電子照射 ,  誘電体 ,  ゲート絶縁膜 ,  *グラフェン ,  静電容量 ,  FET【トランジスタ】 ,  キャリア移動度
準シソーラス用語： ゲート漏れ電流 ,  グラフェンFET ,  トップゲート ,  ゲート容量 ,  二層 ,  高品質 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： 原子層堆積 ,  HfO_2 ,  グラフェン ,  高κ ,  ゲート絶縁体

分類 (2件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  酸化物薄膜  (BK14050P)

タイトルに関連する用語 (3件)： グラフェン ,  原子層堆積 ,  成長