文献

J-GLOBAL ID：201902278427125267   整理番号：19A2817902

負の微分コンダクタンス(NDT)を考慮したトンネル電界効果トランジスタ(TFET)の設計ガイドライン【JST・京大機械翻訳】

Design guideline of tunnel field-effect transistors (TFETs) considering negative differential transconductance (NDT)

著者 (2件)： Lee Jang Woo (Department of Electronic Eng., Sogang Univ., 35 Baekbeom-ro, Mapo-gu, Seoul 04107, Republic of Korea) ,  Choi Woo Young (Department of Electronic Eng., Sogang Univ., 35 Baekbeom-ro, Mapo-gu, Seoul 04107, Republic of Korea)
資料名： Solid-State Electronics  (Solid-State Electronics)
巻： 163  ページ： Null  発行年： 2020年 
JST資料番号： H0225A  ISSN： 0038-1101  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 負の微分相互コンダクタンス(NDT)とその設計指針を示すゲート垂直トンネル電界効果トランジスタ(TFET)を提案した。ゲート正常TFETへのソース枯渇の導入は負の微分相互コンダクタンスをもたらす。また,提案したゲート正常TFETのNDTは,ゲート誘起ソース枯渇効果を変調することにより,うまく増強されることを確認した。Copyright 2019 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 微分 ,  *相互コンダクタンス ,  トンネル効果
準シソーラス用語： *トンネル電界効果トランジスタ ,  *微分コンダクタンス , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： トンネル電界効果トランジスタ(TFET) ,  バンドからバンドへのトンネリング(BTBT) ,  ゲート正規トンネリング ,  ゲート誘起ソース枯渇 ,  負の微分コンダクタンス(NDT)

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (5件)： 微分コンダクタンス ,  NDT ,  トンネル電界効果トランジスタ ,  TFET ,  設計ガイドライン