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J-GLOBAL ID：201902278533840346   整理番号：19A0549347

薄膜トランジスタのための非晶質In-Ga-Zn酸化物のアニーリング中の欠陥構造と深いサブギャップ状態の進展【JST・京大機械翻訳】

Evolution of Defect Structures and Deep Subgap States during Annealing of Amorphous In-Ga-Zn Oxide for Thin-Film Transistors

著者 (6件)： Jia Junjun (Graduate School of Science and Engineering, Aoyama Gakuin University, 5-10-1 Fuchinobe, Chuo, Sagamihara 252-5258, Japan) ,  Suko Ayaka (Graduate School of Science and Engineering, Aoyama Gakuin University, 5-10-1 Fuchinobe, Chuo, Sagamihara 252-5258, Japan) ,  Shigesato Yuzo (Graduate School of Science and Engineering, Aoyama Gakuin University, 5-10-1 Fuchinobe, Chuo, Sagamihara 252-5258, Japan) ,  Okajima Toshihiro (Kyushu Synchrotron Light Research Center, 8-7 Yayoigaoka, Tosu, Saga 841-0005, Japan) ,  Inoue Keiko (Toray Research Center, Inc., Sonoyama 3-3-7, Otsu, Shiga 520-8567, Japan) ,  Hosomi Hiroyuki (Toray Research Center, Inc., Sonoyama 3-3-7, Otsu, Shiga 520-8567, Japan)
資料名： Physical Review Applied  (Physical Review Applied)
巻： 9  号： 1  ページ： 014018  発行年： 2018年 
JST資料番号： W3691A  ISSN： 2331-7019  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 欠陥構造とサブギャップ状態の間の関係を理解する目的で,拡張X線吸収微細構造(EXAFS)測定,陽電子消滅寿命分光法(PALS)および陰極線ルミネセンス(CL)分光法により,ポストアニーリング温度を上昇させたIn-Ga-Zn酸化物(IGZO)膜の欠陥構造とサブギャップ状態の発展挙動を調べた。EXAFS測定により,ポストアニーリング中のカチオン周辺の酸素配位数の変化を明らかにし,2つのタイプの点欠陥,すなわち,Ga原子の周りの過剰酸素とInおよび/またはZn原子の周りの酸素欠乏を確認した。PALSは,非晶質および多結晶IGZO膜の両方において中性または負の電荷をもつカチオン空孔([数式:原文を参照])関連クラスタの存在を示唆する。ClスペクトルはIGZO膜に対して約1.85eVに主な発光バンドを示し,[数式:原文を参照]以上でアニールしたIGZO膜に対して約2.15eVに位置する明確なショルダーを示した。これらの二つの発光バンドは伝導帯における電子間の再結合または伝導帯近傍の浅いドナー準位に帰属され,アクセプタは価電子帯最大値以上に捕獲された。浅いドナーは酸素欠乏に起因し,アクセプタは過剰酸素または[数式:原文を参照]関連クラスタから生じると考えられる。これらの結果は,非晶質IGZO薄膜トランジスタのデバイス不安定性,特に非晶質IGZO膜における中性または負に帯電した[数式:原文を参照]関連クラスタの存在を理解するための代替ルートを開いた。Copyright 2019 The American Physical Society All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 不安定性 ,  *亜鉛 ,  *焼なまし ,  空格子点 ,  *ガリウム ,  *酸化物 ,  発光 ,  *非晶質 ,  アクセプタ ,  クラスタ ,  伝導バンド ,  *インジウム ,  *薄膜トランジスタ ,  酸素
準シソーラス用語： ポストアニーリング , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (8件)： 薄膜トランジスタ ,  非晶質 ,  Ga ,  Zn酸化物 ,  アニーリング ,  欠陥構造 ,  サブギャップ ,  進展