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J-GLOBAL ID：201902278627566359   整理番号：19A2691833

高荷電Arビームを用いた6H-SiC上の多段階膨潤構造の作製【JST・京大機械翻訳】

Fabrication of multi-step swelling structures on 6H-SiC by using highly-charged Ar beams

著者 (4件)： Momota S. (Kochi University of Technology, Kochi, 782-8502, Japan) ,  Sato N. (Kochi University of Technology, Kochi, 782-8502, Japan) ,  Sato N. (WORLD INTEC Co., Ltd., Osaka, 530-0001, Japan) ,  Honda K. (Kochi University of Technology, Kochi, 782-8502, Japan)
資料名： Vacuum  (Vacuum)
巻： 170  ページ： Null  発行年： 2019年 
JST資料番号： E0347A  ISSN： 0042-207X  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 有望な超硬質材料である炭化ケイ素(SiC)のイオンビーム誘起膨潤に関する一連の実験研究は,イオンタイプ,フルエンス,ビームエネルギーなどの照射パラメータにより膨潤高さが変化することを示した。3Dマイクロ-ナノ構造の作製プロセスとしての膨潤効果の実現可能性を確認するために,SiC基板の膨潤に及ぼすビームエネルギーの影響と2段階照射法を,1+,4+,および7+の電荷状態におけるArビームを用いて研究した。膨潤高さは,n≒5×10~15/cm2までのArビームのフルエンスとともに直線的に増加した。さらに,Ar7+イオンを用いて得られた膨潤高さは,Ar1+に対するそれと比較して約5倍増強された。多段階膨潤構造を二段階照射により作製した。各段階で異なる照射パターンを用い,膨潤高さの加成性を確認した。膨潤挙動を理解するために,照射の効果をSRIM-2013とRutherford後方散乱チャネリング法によって特性化した。Copyright 2019 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *膨潤 ,  キャラクタリゼーション ,  ナノ構造 ,  *電荷 ,  加成性 ,  イオンビーム ,  チャネリング ,  イオン ,  Rutherford後方散乱 ,  *アルゴン ,  三次元 ,  超硬材料 ,  フルエンス ,  炭化ケイ素

著者キーワード (4件)： 高荷電イオンビーム ,  SiC結晶 ,  マルチステップスエリング構造 ,  イオンビーム誘起欠陥

分類 (1件)： 放射線高分子化学  (CG03050S)

タイトルに関連する用語 (7件)： 荷電 ,  Ar ,  ビーム ,  6H-SiC ,  段階 ,  膨潤 ,  作製