文献

J-GLOBAL ID：201902278666061651   整理番号：19A0427923

誘電体膜の原子間力顕微鏡を用いた誘電率測定:システム理論アプローチ【JST・京大機械翻訳】

Dielectric constant measurement using atomic force microscopy of dielectric films: a system theory approach

著者 (12件)： Cruz-Valeriano E. (CINVESTAV, Queretaro, Queretaro, Mexico) ,  Guzman-Caballero D. E. (CINVESTAV, Queretaro, Queretaro, Mexico) ,  Escamilla-Diaz T. (CINVESTAV, Queretaro, Queretaro, Mexico) ,  Gutierrez-Peralta A. (CINVESTAV, Queretaro, Queretaro, Mexico) ,  Davila Susana Meraz (CINVESTAV, Queretaro, Queretaro, Mexico) ,  Torres-Ochoa J. A. (CINVESTAV, Queretaro, Queretaro, Mexico) ,  Arciniega J. J. Gervacio (CONACYT-Facultad de Ciencias Fisico Matematicas, Benemerita Universidad Autonoma de Puebla, Puebla, Puebla, Mexico) ,  Murillo-Bracamontes E. A. (CNyN-UNAM, Ensenada, Baja California, Mexico) ,  Enriquez-Flores C. I. (Facultad de Ciencias Fisico Matematico, Universidad Autonoma del Estado Chiapas, Chiapas, Mexico) ,  Ramirez-Bon R. (CINVESTAV, Queretaro, Queretaro, Mexico) ,  Palmerin Joel Moreno (Departamento de Minas, Metalurgia y Geologia, Universidad de Guanajuato, Guanajuato, Guanajuato, Mexico) ,  Yanez-Limon J. M. (CINVESTAV, Queretaro, Queretaro, Mexico)
資料名： Applied Physics. A. Materials Science & Processing  (Applied Physics. A. Materials Science & Processing)
巻： 124  号： 10  ページ： 1-9  発行年： 2018年 
JST資料番号： D0256C  ISSN： 0947-8396  CODEN： APHYCC  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 原子間力顕微鏡(AFM)を用いたシステム理論アプローチに基づくマイクロスケールでの誘電率を測定するための技術を開発し,これにより最適化された装置を用いて誘電材料の電気的特性化を可能にした。この技術は,AFMチップを上部接触として,金属接触絶縁体-金属接触または金属接触絶縁体のいずれかについての静電容量を測定することができ,これらの結果から誘電率を計算することができる。この技術は,周波数範囲1Hz~60kHzにおける等価RC回路(抵抗容量)の入力電圧と出力電圧の間の周波数応答を比較した。この比較は,この種の回路に含まれる時間定数を得るために伝達関数モデルと最小二乗プロセスを用いて解析し,原子間力顕微鏡装置によるこの技術の実装を容易にした。さらに,測定は単一点またはマッピングで行うことができる。測定は,ゾル-ゲル法により調製し,酸化インジウムスズ(ITO)被覆ガラス基板上に堆積したPMMA-TiO [数式:原文を参照]-SiO [数式:原文を参照]とPMMA-TiO [数式:原文を参照]-BTの二つのハイブリッド膜について行った。この方法で得られた結果は,市販の容量-電圧分析器を用いた従来の測定と一致し,誘電率はPMMA-TiO[数式:原文を参照]-SiO[数式:原文を参照]に対して11.31,PMMA-TiO[数式:原文を参照]-BTに対して15.41であることを示した。Copyright 2018 Springer-Verlag GmbH Germany, part of Springer Nature Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 基板 ,  最適化 ,  *原子間力顕微鏡 ,  電圧 ,  最小二乗法 ,  誘電材料 ,  電気的性質 ,  ゾル-ゲル法 ,  静電容量 ,  *誘電体薄膜 ,  周波数応答 ,  絶縁体 ,  *誘電率
準シソーラス用語： ハイブリッド膜 ,  出力電圧 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 高分子固体の物理的性質  (CG02024U)

タイトルに関連する用語 (4件)： 誘電体膜 ,  原子間力顕微鏡 ,  誘電率測定 ,  システム理論