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J-GLOBAL ID：201902278782235226   整理番号：19A0793377

ZnTeOベース中間バンド太陽電池の光起電力特性の改善【JST・京大機械翻訳】

Improved photovoltaic properties of ZnTeO-based intermediate band solar cells

著者 (5件)： Tanaka Tooru (Saga Univ. (Japan)) ,  Saito Katsuhiko (Saga Univ. (Japan)) ,  Guo Qixin (Saga Univ. (Japan)) ,  Yu Kin Man (City Univ. of Hong Kong (Hong Kong, China)) ,  Walukiewicz Wladek (Lawrence Berkeley National Lab. (United States))
資料名： Proceedings of SPIE  (Proceedings of SPIE)
巻： 10527  ページ： 105270P-6  発行年： 2018年 
JST資料番号： D0943A  ISSN： 0277-786X  CODEN： PSISDG  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 高度に不整合なZnTe_1-xO_x(ZnTeO)合金は,狭いO由来の中間バンドIB(E-)がZnTeの伝導帯CB(E+)端の下に良く形成されるので,バルク中間バンド太陽電池(IBSC)の吸収体材料の可能性のある候補の一つである。以前に,n-ZnO窓層を用いたZnTeO IBSCsにおける二段階光子吸収(TSPA)により誘起された光電流の発生を実証した。しかし,ZnTeとZnOの間の大きな伝導帯オフセット(CBO)のために,小さな開回路電圧(V_oc)だけがこの構造で観察された。ここでは,n-ZnS窓層を持つZnTeO IBSCsの開発に関する最近の進歩を報告する。ZnSは3.7eVの大きな直接バンドギャップを有し,3.9eVの電子親和性を有し,ZnTeにより小さなCBOを実現することができた。分子線エピタクシー(MBE)によりZnTe基板上にn型ZnS薄膜を成長させ,V_OCを改善したn-ZnS窓層を用いてZnTe太陽電池とZnTeO IBSCsを実証した。特に,n-ZnS/i-ZnTe/p-ZnTe太陽電池は0.77Vの改善されたV_oc,6.7mA/cm2の大きな短絡電流密度を示し,1太陽光照射下で3.1%の電力変換効率を得た。COPYRIGHT SPIE. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 不整合 ,  *テルル化亜鉛 ,  光電流 ,  合金 ,  太陽光 ,  *太陽電池 ,  酸化亜鉛 ,  伝導バンド ,  *光起電力 ,  硫化亜鉛 ,  MBE成長 ,  薄膜
準シソーラス用語： 電力変換効率 ,  開回路電圧 ,  *中間バンド , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 太陽電池  (NC03084O)

タイトルに関連する用語 (2件)： 中間バンド太陽電池 ,  光起電力