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J-GLOBAL ID：201902279013089857   整理番号：19A2343478

固定電位堆積法により作製したWO_3薄膜の光学特性と光電気触媒活性の改善【JST・京大機械翻訳】

Optical properties and photoelectrocatalytic activities improvement of WO₃ thin film fabricated by fixed-potential deposition method

著者 (5件)： Kangkun Niphawan (Department of Chemistry, Faculty of Science and Technology, Rajamangala University of Technology Thanyaburi, Pathum Thani, 12110, Thailand) ,  Kiama Nuanlaor (Department of Chemistry, Faculty of Science and Technology, Rajamangala University of Technology Thanyaburi, Pathum Thani, 12110, Thailand) ,  Saito Nobuo (Department of Materials Science and Technology, Nagaoka University of Technology, 1603-1 Kamitomioka, Nagaoka, 940-2188, Japan) ,  Ponchio Chatchai (Department of Chemistry, Faculty of Science and Technology, Rajamangala University of Technology Thanyaburi, Pathum Thani, 12110, Thailand) ,  Ponchio Chatchai (Advance Materials Design and Development (AMDD) Research Unit, Institute of Research and Development, Rajamangala University of Technology Thanyaburi, Klong 6, Thanyaburi, Pathum Thani, 12110 Thailand)
資料名： Optik  (Optik)
巻： 198  ページ： Null  発行年： 2019年 
JST資料番号： D0251A  ISSN： 0030-4026  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 導電性ガラス基板上に作製した酸化タングステン(WO_3)光アノード電極を,光学特性と光電気触媒水酸化効率を改善するために,固定電位堆積(FPD)法により開発した。水酸化プロセスからの最高の光電流に対して,印加電位,析出時間,および焼成温度の影響を最適化した。WO_3薄膜の特性を研究し,光電気触媒特性の改善を確認し,理解した。その結果,WO_3薄膜作製の光学特性と光電気触媒活性は,印加電位,堆積時間,および焼成温度パラメータに直接依存することがわかった。FPD法により調製した最適WO_3光アノード電極は,従来のスピンコーティング法に比べて顕著な光学的性質と光電極触媒活性改善を示した。FPD法により開発したWO_3薄膜作製は,可視光吸収,形態,結晶構造改善により光電極触媒酸化反応を増強した。この研究は,エネルギーと環境応用のための薄膜半導体製造の効率を改善するために,さらに開発される。Copyright 2019 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 半導体薄膜 ,  *薄膜 ,  最適化 ,  光電流 ,  *電位 ,  *光学的性質 ,  ヒドロキシ化 ,  エネルギー ,  結晶構造 ,  可視光 ,  酸化タングステン ,  薄膜作製 ,  焼成温度 ,  印加電圧 ,  *光電気触媒 ,  改変

著者キーワード (4件)： WO_3薄膜の作製 ,  固定電位堆積 ,  光電気触媒活性 ,  光学的性質

分類 (2件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  その他の光伝送素子  (BD06040S)

タイトルに関連する用語 (7件)： 電位 ,  堆積 ,  作製 ,  薄膜 ,  光学特性 ,  光電気触媒 ,  活性