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J-GLOBAL ID：201902279607420686   整理番号：19A1827423

論理のためのInGaAsの再評価:サブ10nmフィン幅FinFETにおける移動度抽出【JST・京大機械翻訳】

Reassessing InGaAs for Logic: Mobility Extraction in sub-10nm Fin-Width FinFETs

著者 (4件)： Cai Xiaowei (Microsystems Technology Laboratories, Massachusetts Institute of Technology (MIT), Cambridge, MA, 02139, U.S.A) ,  Vardi Alan (Microsystems Technology Laboratories, Massachusetts Institute of Technology (MIT), Cambridge, MA, 02139, U.S.A) ,  Grajal Jesus (ETSI Telecomunicacion, Universidad Polite ́cnica de Madrid, C Ramiro de Maeztu 7, Madrid, 28040, Spain) ,  del Alamo Jesus A. (Microsystems Technology Laboratories, Massachusetts Institute of Technology (MIT), Cambridge, MA, 02139, U.S.A)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2019  号： VLSI Technology  ページ： T246-T247  発行年： 2019年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： サブ10nmのフィン幅にスケールするInGaAs FinFETの性能劣化を研究した。これはしばしば固有輸送パラメータの劣化に起因する。しかし,高周波測定は,フィン幅が狭くなると,ますます厳しい酸化物トラッピングを示す。これはパルスIV測定により確認された。同時SパラメータとDC-IV測定を用いた新しい移動度抽出法は,酸化物トラッピングの影響を回避し,薄チャネルInGaAs平面MOSFETと狭幅FinFETにおける有望な移動度を明らかにした。著者らの研究は,InGaAs FinFETの性能劣化が,大規模に設計されることができる外因性現象であり,深さスケールのInGaAs FinFETの潜在的性能が著しく過小評価されていることを示唆している。Copyright 2019 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 酸化物 ,  高周波測定 ,  *移動度 ,  チャネル ,  *ヒ化ガリウムインジウム ,  パルス ,  *フィン ,  MOSFET
準シソーラス用語： 過小評価 ,  Sパラメータ ,  トラッピング ,  性能劣化 ,  *FinFET , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 図形・画像処理一般  (JE04010I) ,  移動通信  (ND08030H)

タイトルに関連する用語 (7件)： 論理 ,  InGaAs ,  評価 ,  サブ ,  フィン ,  FinFET ,  移動度