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J-GLOBAL ID：201902279731423180   整理番号：19A1887750

カーボンブラック上に成長させた数層MOS_2の複合材料:水素発生反応のためのMOS_2における末端から全硫黄への比の調整【JST・京大機械翻訳】

Composite of Few-Layered MoS₂ Grown on Carbon Black: Tuning the Ratio of Terminal to Total Sulfur in MoS₂ for Hydrogen Evolution Reaction

著者 (2件)： Xue Ning (School of Materials Science and Engineering, Beihang University, P. R. China) ,  Diao Peng (School of Materials Science and Engineering, Beihang University, P. R. China)
資料名： Journal of Physical Chemistry C  (Journal of Physical Chemistry C)
巻： 121  号： 27  ページ： 14413-14425  発行年： 2017年 
JST資料番号： W1877A  ISSN： 1932-7447  CODEN： JPCCCK  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 層状MoS_2の端部における末端ジスルフィドおよび硫化物(S_22-およびS2-)基は,電気化学的水素発生反応(HER)に対して非常に活性であると信じられている。本研究では,カーボンブラック(CB)表面上に成長させた数層MoS_2の複合材料を調製した。得られたMoS_2/CB複合材料中の末端S_22-とS2-基の比率はCB含有量に大きく依存し,HERに対する複合材料の活性はCB含有量を制御することにより調整できることを示した。HERに対するMoS_2/CB触媒上の電流密度はMoS_2層の平均数及び複合材料中の全硫黄に対する末端の比に密接に関連し,前者はMoS_2層の伝導率を支配し,後者はHERの活性部位の密度を決定した。最高の活性と優れた安定性がMoS_2/CB複合材料上で得られ,平均5つのMoS_2層と約6.5%の全硫黄に対する末端の比率を有した。この複合材料は,1.0mg cm-2の負荷で,-0.225V vs RHEで80mA cm-2の電流密度を示し,同じ負荷で高活性MoS_2/グラフェン触媒で報告された値と同じ高さであった。商業的に利用可能なCBの低コストとMoS_2/CB複合材料の調製の容易さを考慮して,著者らのMoS_2/CB触媒は他のMoS_2ベース触媒と比較して非常に競争力がある。Copyright 2019 American Chemical Society All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *複合材料 ,  電気化学 ,  *カーボンブラック ,  活性部位 ,  硫化物 ,  触媒 ,  *水素発生反応 ,  グラフェン ,  電流密度
準シソーラス用語： 伝導率 ,  二層 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (5件)： 二次電池  (YB04030K) ,  電気化学反応  (CB07050F) ,  光化学反応  (CB08020F) ,  炭素とその化合物  (YB02060D) ,  その他の触媒  (CB06123Z)

タイトルに関連する用語 (5件)： カーボンブラック ,  成長 ,  複合材料 ,  水素発生反応 ,  比