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J-GLOBAL ID：201902280239362096   整理番号：19A0513150

シリコン基板上の膜分布反射器レーザの高効率動作【JST・京大機械翻訳】

High-Efficiency Operation of Membrane Distributed-Reflector Lasers on Silicon Substrate

著者 (7件)： Hiratani Takuo (Department of Electrical and Electronic Engineering, Tokyo Institute of Technology, Tokyo, Japan) ,  Inoue Daisuke (Department of Electrical and Electronic Engineering, Tokyo Institute of Technology, Tokyo, Japan) ,  Tomiyasu Takahiro (Department of Electrical and Electronic Engineering, Tokyo Institute of Technology, Tokyo, Japan) ,  Fukuda Kai (Department of Electrical and Electronic Engineering, Tokyo Institute of Technology, Tokyo, Japan) ,  Amemiya Tomohiro (Institute of Innovative Research, Tokyo Institute of Technology, Tokyo, Japan) ,  Nishiyama Nobuhiko (Institute of Innovative Research, Tokyo Institute of Technology, Tokyo, Japan) ,  Arai Shigehisa (Institute of Innovative Research, Tokyo Institute of Technology, Tokyo, Japan)
資料名： IEEE Journal of Selected Topics in Quantum Electronics  (IEEE Journal of Selected Topics in Quantum Electronics)
巻： 23  号： 6  ページ： ROMBUNNO.3700108.1-8  発行年： 2017年 
JST資料番号： W0734A  ISSN： 1077-260X  CODEN： IJSQEN  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： オンチップ光相互接続を進めるために,低閾値電流と高効率動作を有する膜分布反射体(DR)レーザを実現した。最初に,DBR反射率を明らかにするために,長さ80μmの活性部と長さ50μmのDBR断面を有する膜分布Bragg反射器(DBR)レーザを作製した。フロントファセットからの出力に対して35%の外部微分量子効率が得られ,DBR反射率は75%と推定された。次に,61μm長分布帰還部と50μm長DBR部を有する膜DRレーザを作製した。0.48mAの閾値電流,26%の前側導波路からの外部微分量子効率,および13の前部から後部への光出力比を得た。レーザ発振スペクトルは,40dBのサイドモード抑圧比(SMSR)をもつ単一モード動作を示した。最後に,小信号直接変調を行い,30μm長と61μm長素子に対して,それぞれ7.9GHz/mA~1/2と7GHz/mA~1/2の変調電流効率因子を得た。Copyright 2019 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *反射器 ,  スペクトル ,  量子効率 ,  反射率 ,  微分 ,  *レーザ ,  レーザ発振 ,  単一モード ,  導波路 ,  ファセット ,  フィードバック
準シソーラス用語： 直接変調 ,  分布Bragg反射器 ,  閾値電流 ,  オンチップ , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 半導体レーザ  (BD04070L)

タイトルに関連する用語 (5件)： シリコン基板 ,  分布 ,  反射器 ,  レーザ ,  高効率