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J-GLOBAL ID：201902280420294772   整理番号：19A2817887

有機トランジスタにおける接触抵抗の金属酸化物誘起還元の理解【JST・京大機械翻訳】

Understanding the metal-oxides induced reduction of the contact resistance in organic transistors

著者 (7件)： Donnhaeuser Shabnam (Chair for Electron Devices and Integrated Circuits, Technische Universitaet Dresden, Germany) ,  Minagawa Masahiro (Department of Electronic Control Engineering, Nagaoka National College of Technology, Niigata, Japan) ,  Minagawa Masahiro (Department of Chemical Engineering, Stanford University, 443 Via Ortega, Stanford, CA 94305-4125, USA) ,  Blawid Stefan (Department of Electrical Engineering, Universidade de Brasilia, 70910-900 Brasilia-DF, Brazil) ,  Claus Martin (Chair for Electron Devices and Integrated Circuits, Technische Universitaet Dresden, Germany) ,  Claus Martin (Center for Advancing Electronics Dresden, Technische Universitaet Dresden, Germany) ,  Claus Martin (Department of Chemical Engineering, Stanford University, 443 Via Ortega, Stanford, CA 94305-4125, USA)
資料名： Solid-State Electronics  (Solid-State Electronics)
巻： 163  ページ： Null  発行年： 2020年 
JST資料番号： H0225A  ISSN： 0038-1101  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 文献レビュー  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 同一平面ボトムゲート底部接触有機電界効果トランジスタ(OFET)の電極上部に金属酸化物を挿入することは,電流密度の増加,より高い実効移動度,および接触抵抗の低減に関してOFET性能を改善することは良く知られている。これにより,数値デバイスシミュレーションと実験データを用いて,酸化金属電極の場合のトランジスタ性能利得を明らかにした。本研究は,これらの領域における改善された移動度と関連して,酸化電極の近傍における半導体形態の改善により,これらの実験に対して酸化の影響を説明できるという仮説を強く支持する。Copyright 2019 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 半導体 ,  *金属酸化物 ,  電荷移動 ,  アノード酸化 ,  *酸化 ,  利得 ,  電流密度 ,  *トランジスタ ,  *接触抵抗 ,  移動度
準シソーラス用語： デバイスシミュレーション ,  ボトムゲート ,  *有機FET , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： 有機薄膜トランジスタ ,  電極酸化 ,  接触抵抗 ,  伝達長 ,  電荷移動と接触移動度

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (6件)： 有機トランジスタ ,  接触抵抗 ,  金属酸化物 ,  誘起 ,  還元 ,  理解