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J-GLOBAL ID：201902280510007045   整理番号：19A0122889

新しく開発したSiC-VMOSFETを用いた3kWシングルエンド無線EV充電器【JST・京大機械翻訳】

A 3kW Single-Ended Wireless EV Charger with a Newly Developed SiC-VMOSFET

著者 (5件)： Maeno Ryota (Osaka Institute of Technology, Osaka, Japan) ,  Omori Hideki (Osaka Institute of Technology, Osaka, Japan) ,  Michikoshi Hisato (National Institute of Advanced Industrial Science and Technology, Ibaraki, Japan) ,  Kimura Noriyuki (Osaka Institute of Technology, Osaka, Japan) ,  Morizane Toshimitsu (Osaka Institute of Technology, Osaka, Japan)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2018  号： ICRERA  ページ： 1-6  発行年： 2018年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本論文では,新しいSiC-VMOSFETの開発による高出力単一終端無線EV充電器について述べた。最初に,単一デバイスで動作する無線EV充電システムの回路構成を記述した。第2の場所では,国際標準周波数動作下での無線EV充電器におけるSiC-IEMOSFET(注入と軸方向MOSFET)とSi-IGBTの損失評価を互いに比較した。従来のシステムの動作周波数は,可聴雑音を避けるために25kHzであったが,グローバル標準は,無線EVチャージャーのための標準動作周波数の85kHzバンドを決定した。このことは,SiC-MOSFETが単一終端85kHz帯無線EVチャージャーに適していることを示している。第3の場所では,新しく開発したSiC-VMOSFET(V溝トレンチMOSFET)を持つ高出力単一終端無線EV充電器を検討した。以前に開発した充電器は1200V SiC-MOSFETを用いて1kWの移動電力を有するが,実用的な通常型EV充電には3kWの転送電力が必要である。3kWのシングルエンド無線EV充電器に対して,1700Vの耐圧の高い電圧低下が必要である。一般に,MOSFETのオン抵抗は抵抗電圧の二乗に比例するので,高いvoltageMOSFETの非常に高い伝導損失が実現を困難にしている。新しく開発したSiC-VMOSFETはこの問題の解決策であることを示した。開発した3kWシングルエンド無線電力伝送コンバータにおける電力の工夫損失の実験結果を述べた。最後に,パワースイッチングデバイスの信頼性を確保するために,アバランシェ抵抗を,SiC-VMOSFETと以前のSiC-MOSFETの間で比較評価した。Copyright 2019 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 変換器 ,  雑音 ,  国際規格 ,  スイッチング素子 ,  電圧 ,  電力 ,  信頼性 ,  *充電装置 ,  *充電 ,  オン抵抗 ,  無線電力伝送 ,  *炭化ケイ素 ,  IGBT
準シソーラス用語： 動作周波数 ,  *ワイヤレス , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 図形・画像処理一般  (JE04010I)

タイトルに関連する用語 (5件)： 開発 ,  SiC ,  無線 ,  EV ,  充電器