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J-GLOBAL ID：201902280522523983   整理番号：19A1253234

タイプI(Na/Sr)-(Ga/Si)四元包接化合物の単結晶成長と構造解析【JST・京大機械翻訳】

Single crystal growth and structure analysis of type-I (Na/Sr)-(Ga/Si) quaternary clathrates

著者 (3件)： Urushiyama Hironao (Institute of Multidisciplinary Research for Advanced Materials, Tohoku University, 2-1-1 Katahira, Aoba-ku, Sendai 980-8577, Japan) ,  Morito Haruhiko ,  Yamane Hisanori
資料名： RSC Advances (Web)  (RSC Advances (Web))
巻： 9  号： 26  ページ： 14586-14591  発行年： 2019年 
JST資料番号： U7055A  ISSN： 2046-2069  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Na-Sr-Ga-Si-Snの混合物から,Ar雰囲気中,773K,12hで,Na-Sr-Ga-Si-Snの混合物から,Na_8-ySr_yGa_xSi_46-xの単結晶を合成した。Electron-プローブ微量分析および単結晶X線回折により,同じ生成物からの3つの結晶が,xおよびy値が7.6,2.96のNa_8-ySr_yGa_xSi_46-xであることを明らかにした。8.4,3.80;および9.1,4.08。SrとGa含有量の増加は300Kで結晶の電気抵抗率を0.34から1.05mΩcmに増加させることも示した。Copyright 2019 Royal Society of Chemistry All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *ガリウム ,  *構造解析 ,  *単結晶 ,  *包接化合物 ,  微量分析 ,  電気抵抗率 ,  プローブ ,  *ストロンチウム
準シソーラス用語： 単結晶X線回折 ,  *単結晶成長 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (5件)： その他の触媒  (CB06123Z) ,  排ガス処理  (PB02060U) ,  診断用薬の基礎研究  (GW20010P) ,  抗腫よう薬の基礎研究  (GW16010A) ,  下水,廃水の生物学的処理  (SC03060H)

タイトルに関連する用語 (8件)： タイプ ,  Na ,  Sr ,  Ga ,  Si ,  包接化合物 ,  単結晶成長 ,  構造解析