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J-GLOBAL ID：201902280562122760   整理番号：19A1386680

有機薄膜トランジスタのためのI-V特性劣化のコンパクトモデル【JST・京大機械翻訳】

A compact model of I -V characteristic degradation for organic thin film transistors

著者 (5件)： Saito Michiaki (Graduate School of Informatics, Kyoto University, Yoshida-hon-machi, Sakyo, Kyoto, 606-8501, Japan) ,  Shintani Michihiro (Graduate School of Science and Technology, Nara Institute of Science and Technology, 8916-5 Takayama-cho, Ikoma, Nara, 630-0192, Japan) ,  Kuribara Kazunori (National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (AIST), 1-1-1 Higashi, Tsukuba, Ibaraki, 305-8565, Japan) ,  Ogasahara Yasuhiro (National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (AIST), 1-1-1 Higashi, Tsukuba, Ibaraki, 305-8565, Japan) ,  Sato Takashi (Graduate School of Informatics, Kyoto University, Yoshida-hon-machi, Sakyo, Kyoto, 606-8501, Japan)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2019  号： ICMTS  ページ： 194-199  発行年： 2019年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 有機薄膜トランジスタの寿命は,シリコンMOSFETのそれより著しく短いことが知られている。従って,初期設計段階でのそれらの劣化を予測することは重要である。本論文では,有機薄膜トランジスタをシミュレーションするためのドレイン電流モデルを提案した。提案したモデルは,閾値電圧とキャリア移動度の変化による劣化を特徴付ける。抽出したパラメータにより,提案したモデルは作製した素子の時間的性能劣化を再現することに成功した。また,実験結果は,提案したモデルが既存のモデルと比較して38%良い精度を達成することを実証した。Copyright 2019 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： MOSFET ,  *ケイ素 ,  キャリア移動度
準シソーラス用語： 閾値電圧 ,  ドレイン電流 ,  *コンパクトモデル ,  *性能劣化 ,  *有機薄膜トランジスタ , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (3件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  音声処理  (JE05000E) ,  図形・画像処理一般  (JE04010I)

タイトルに関連する用語 (3件)： 有機薄膜トランジスタ ,  I-V特性 ,  コンパクトモデル