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J-GLOBAL ID：201902280904218349   整理番号：19A1113394

全電離線量と変位放射線損傷により誘導されたPPD CISsにおける画像遅延劣化の解析【JST・京大機械翻訳】

Analysis of Image Lag Degradation in PPD CISs Induced by Total Ionizing Dose and Displacement Radiation Damage

著者 (8件)： Wang Zujun (State Key Laboratory of Intense Pulsed Radiation Simulation and Effect, Northwest Institute of Nuclear Technology, 710024, China) ,  Xue Yuanyuan (State Key Laboratory of Intense Pulsed Radiation Simulation and Effect, Northwest Institute of Nuclear Technology, 710024, China) ,  Liu Jing (School of materials science and engineering, Xiangtan University, Hunan, 411105, China) ,  Chen Wei (State Key Laboratory of Intense Pulsed Radiation Simulation and Effect, Northwest Institute of Nuclear Technology, 710024, China) ,  Ma Wuying (State Key Laboratory of Intense Pulsed Radiation Simulation and Effect, Northwest Institute of Nuclear Technology, 710024, China) ,  He Baoping (State Key Laboratory of Intense Pulsed Radiation Simulation and Effect, Northwest Institute of Nuclear Technology, 710024, China) ,  Yao Zhibin (State Key Laboratory of Intense Pulsed Radiation Simulation and Effect, Northwest Institute of Nuclear Technology, 710024, China) ,  Sheng Jiangkun (State Key Laboratory of Intense Pulsed Radiation Simulation and Effect, Northwest Institute of Nuclear Technology, 710024, China)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2017  号： RADECS  ページ： 1-5  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ピン止めフォトダイオード(PPD)CMOSイメージセンサ(CISs)に及ぼす全電離線量(TID)と変位放射効果の実験を示した。CISsは,4個のメガピクセルと4個のトランジスタPPD画素アーキテクチャを持つ標準の0.18μm CMOS技術を用いて製造される。TID損傷により誘起された画像遅れ劣化を,異なるバイアス条件で60Coγ線を曝露することにより解析した。実験結果は,バイアスしたCISの劣化が,バイアスのないCISのものより厳しいことを示した。0.1,1.0および10.0rad(Si)/sの線量率におけるTIDに対する画像遅れ劣化を比較した。変位損傷により誘起される画像遅れ劣化も陽子と中性子放射により調べた。60Coγ線,陽子,および中性子放射によって引き起こされた画像遅れ劣化機構を,TCADシミュレーションとGEANT4を用いた放射粒子輸送シミュレーションによって解析した。Copyright 2019 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： はじき出し損傷 ,  画素 ,  計算機アーキテクチャ ,  *画像 ,  CMOS ,  中性子 ,  *放射線量 ,  陽子 ,  バイアス ,  フォトダイオード ,  シミュレーション ,  γ線 ,  ピン止め
準シソーラス用語： TCAD ,  CMOSイメージセンサ , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 図形・画像処理一般  (JE04010I)

タイトルに関連する用語 (7件)： 電離線 ,  変位 ,  放射線損傷 ,  誘導 ,  PPD ,  遅延 ,  解析