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J-GLOBAL ID：201902280944653857   整理番号：19A1332239

ゾル-ゲル処理SnO_2薄膜トランジスタの環境安定性を改善する方法としての緻密化制御【JST・京大機械翻訳】

Densification Control as a Method of Improving the Ambient Stability of Sol-Gel-Processed SnO₂ Thin-Film Transistors

著者 (7件)： Lee Won-Yong (School of Electronics Engineering, Kyungpook National University, Daegu, South Korea) ,  Ha Seung Hyun (School of Electronics Engineering, Kyungpook National University, Daegu, South Korea) ,  Lee Hyunjae (School of Electronics Engineering, Kyungpook National University, Daegu, South Korea) ,  Bae Jin-Hyuk (School of Electronics Engineering, Kyungpook National University, Daegu, South Korea) ,  Jang Bongho (Department of Information and Communication Engineering, DGIST, Daegu, South Korea) ,  Kwon Hyuk-Jun (Department of Information and Communication Engineering, DGIST, Daegu, South Korea) ,  Jang Jaewon (School of Electronics Engineering, Kyungpook National University, Daegu, South Korea)
資料名： IEEE Electron Device Letters  (IEEE Electron Device Letters)
巻： 40  号： 6  ページ： 905-908  発行年： 2019年 
JST資料番号： B0344B  ISSN： 0741-3106  CODEN： EDLEDZ  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ゾル-ゲル処理SnO_2を用いて,良好な環境安定性を有する薄膜トランジスタ(TFT)を作製し,SnO_2膜緻密化が適切な乾燥温度の選択により効果的に制御できることを示した。特に,150°Cで乾燥したSnO_2膜を含むTFTは,通常のn型半導体特性,高飽和領域電界効果移動度(7.3cm2/Vs),良好なオン/オフ電流比,優れたサブ閾値スイング値,及び活性チャネル層を保護するための追加不動態化層の必要性を緩和する良好な電気安定性を示した。逆に,50または100°Cで乾燥したSnO_2膜を含むTFTは,低密度化により環境安定性が低いことを示した。特に,より緻密でない膜はゆるく充填された構造の存在と微結晶間の小さな接触領域によって特徴付けられ,それは周囲からのガス分子の吸着を促進し,顕著なTFT性能劣化をもたらす。Copyright 2019 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 微結晶 ,  *緻密化 ,  N型半導体 ,  *ゾル-ゲル法 ,  *薄膜トランジスタ ,  電流 ,  不動態化
準シソーラス用語： 性能劣化 ,  低密度 ,  チャネル層 ,  サブ閾値スイング ,  剪断波速度 ,  電界効果移動度 ,  乾燥温度 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (5件)： ゾル-ゲル処理 ,  薄膜トランジスタ ,  環境 ,  安定性 ,  緻密化