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J-GLOBAL ID：201902281435750679   整理番号：19A1416129

原子層堆積によるGaN(0001)上の立方晶結晶酸化エルビウム成長【JST・京大機械翻訳】

Cubic crystalline erbium oxide growth on GaN(0001) by atomic layer deposition

著者 (7件)： Chen Pei-Yu (Department of Chemical Engineering, The University of Texas at Austin, Austin, Texas 78712, USA) ,  Posadas Agham B. (Department of Physics, The University of Texas at Austin, Austin, Texas 78712, USA) ,  Kwon Sunah (Department of Materials Science and Engineering, The University of Texas at Dallas, Richardson, Texas 75080, USA) ,  Wang Qingxiao (Department of Materials Science and Engineering, The University of Texas at Dallas, Richardson, Texas 75080, USA) ,  Kim Moon J. (Department of Materials Science and Engineering, The University of Texas at Dallas, Richardson, Texas 75080, USA) ,  Demkov Alexander A. (Department of Physics, The University of Texas at Austin, Austin, Texas 78712, USA) ,  Ekerdt John G. (Department of Chemical Engineering, The University of Texas at Austin, Austin, Texas 78712, USA)
資料名： Journal of Applied Physics  (Journal of Applied Physics)
巻： 122  号： 21  ページ： 215302-215302-10  発行年： 2017年 
JST資料番号： C0266A  ISSN： 0021-8979  CODEN： JAPIAU  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： GaN(0001)上の希土類酸化物である結晶性Er_2O_3の成長について述べた。ex situ HClおよびNH_4OH溶液およびその場N_2プラズマを用いて,GaN表面上の不純物を除去し,1.02のGa/N化学量論を得た。エルビウムトリス(イソプロピルシクロペンタジエンイル[Er(~iPrCp)_3]と水による原子層蒸着を用いて,結晶性立方晶Er_2O_3(C-ER_2O_3)を250°CでGaN上に成長させた。C-ER_2O_3膜とGaN基板の間の配向関係は,C-ER_2O_3(222)//GaN(0001),C-ER_2O_3<-440>//GaN<11-20>,およびC-ER_2O_3<-211>//GaN<1-100>であった。走査透過型電子顕微鏡と電子エネルギー損失分光法を用いて,C-ER_2O_3の微細構造とGaNとの界面を調べた。600°Cでの蒸着後アニーリングにより,より厚い界面層が観察され,2つの遷移層,結晶性GaN_wO_zおよび結晶性Gaer_xO_yが,GaNとC-ER_2O_3の間に見出された。C-ER_2O_3膜における引張歪を,面外および面内d間隔の両方における変化によるX線回折によって研究した。GaN上の完全に緩和したC-ER_2O_3膜を,膜厚が約13nmのときに得た。さらに,X線光電子分光法を用いて,0.7eVの価電子帯オフセットと1.2eVの伝導帯オフセットを得た。Copyright 2019 AIP Publishing LLC All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 界面 ,  微細構造 ,  蒸着 ,  X線回折 ,  *立方晶系 ,  焼なまし ,  伝導バンド ,  基板 ,  *ガリウム ,  価電子バンド ,  *結晶 ,  プラズマ ,  *窒化ガリウム ,  オフセット ,  不純物

分類 (3件)： 酸化物薄膜  (BK14050P) ,  半導体薄膜  (BK14040E) ,  金属-絶縁体-半導体構造  (BM03085X)

タイトルに関連する用語 (6件)： 原子層堆積 ,  GaN ,  立方晶 ,  結晶 ,  酸化エルビウム ,  成長