文献

J-GLOBAL ID：201902281627895481   整理番号：19A1408082

大面積,数層MoTe_2の化学蒸着成長におけるテルル化速度依存金属-半導体-金属相の進展【JST・京大機械翻訳】

Tellurization Velocity-Dependent Metallic-Semiconducting-Metallic Phase Evolution in Chemical Vapor Deposition Growth of Large-Area, Few-Layer MoTe₂

著者 (6件)： Yang Li (Center for Joining and Electronic Packaging, State Key Laboratory of Material Processing and Die & Mold Technology, School of Materials Science and Engineering, Huazhong University of Science and Technology, P.R. China) ,  Zhang Wenfeng (Center for Joining and Electronic Packaging, State Key Laboratory of Material Processing and Die & Mold Technology, School of Materials Science and Engineering, Huazhong University of Science and Technology, P.R. China) ,  Li Jie (Center for Joining and Electronic Packaging, State Key Laboratory of Material Processing and Die & Mold Technology, School of Materials Science and Engineering, Huazhong University of Science and Technology, P.R. China) ,  Cheng Shuai (Center for Joining and Electronic Packaging, State Key Laboratory of Material Processing and Die & Mold Technology, School of Materials Science and Engineering, Huazhong University of Science and Technology, P.R. China) ,  Xie Zijian (Center for Joining and Electronic Packaging, State Key Laboratory of Material Processing and Die & Mold Technology, School of Materials Science and Engineering, Huazhong University of Science and Technology, P.R. China) ,  Chang Haixin (Center for Joining and Electronic Packaging, State Key Laboratory of Material Processing and Die & Mold Technology, School of Materials Science and Engineering, Huazhong University of Science and Technology, P.R. China)
資料名： ACS Nano  (ACS Nano)
巻： 11  号： 2  ページ： 1964-1972  発行年： 2017年02月 
JST資料番号： W2326A  ISSN： 1936-0851  CODEN： ANCAC3  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： MoTe_2のような二次元(2D)遷移金属ジカルコゲニド(TMD)の相工学は,種々のデバイス応用において大きな機会を提供する。しかしながら,既存の方法の大部分は,レーザ照射,機械的歪,またはプロカーソル型によるMoTe_2膜の小面積局所相変化またはある種の相の成長のみを扱っている。大面積,少数層のMoTe_2の直接成長における異なる相の間の容易で,調整可能で,可逆的で連続的な相転移と発展を得ることは依然として挑戦的である。ここでは,相制御と転移を達成するための容易な方法を開発し,大面積,少数層のMoTe_2の化学蒸着(CVD)成長における高度に調整可能な,テルル化速度依存金属-半導体-金属相の発展を報告した。2Hと1T′相の共存相の2つの異なるタイプ,100%2H相と100%1T′相を含む4つの異なる相段階が,採用されたテルル化速度に依存して出現することを見出した。重要なことに,100%の2H相MoTe_2を得るためには,テルル化速度を極端に制御しなければならないが,100%の1T′相は速いテルル化速度を必要とする。さらに,このような金属-半導体-金属相の発展は均一な空間分布で起こり,明らかな相分離が通常相転移中に見出される以前の報告とは異なることを見出した。得られたMoTe_2は機械的に剥離した材料に匹敵する室温移動度を有する高品質を示した。結果は,Weyl半金属トポロジー物理学と潜在的2D半導体デバイス応用のためのTMDと他の2D材料の大規模位相工学に影響を与える可能性がある。Copyright 2019 American Chemical Society All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： レーザ照射 ,  移動度 ,  空間分布 ,  位相 ,  位相幾何学 ,  *半導体 ,  半導体素子 ,  相分離 ,  相転移 ,  二次元 ,  *化学蒸着
準シソーラス用語： Weyl半金属 ,  高品質 ,  *金属相 ,  *大面積 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： 位相工学 ,  二次元材料 ,  大面積合成 ,  金属-半導体-金属相転移

分類 (2件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  固相転移  (BL04020G)

タイトルに関連する用語 (6件)： 大面積 ,  化学蒸着 ,  成長 ,  テルル ,  金属相 ,  進展