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J-GLOBAL ID：201902282027460441   整理番号：19A1887342

チオラート保護金ナノクラスタに基づくフローティングメモリデバイスの作製とキャラクタリゼーション【JST・京大機械翻訳】

Fabrication and Characterization of Floating Memory Devices Based on Thiolate-Protected Gold Nanoclusters

著者 (17件)： Hirata Naoyuki (Department of Chemistry, Faculty of Science and Technology, Keio University, Japan) ,  Hirata Naoyuki (JST, ERATO, Nakajima Designer Nanocluster Assembly Project, Japan) ,  Sato Minako (JST, ERATO, Nakajima Designer Nanocluster Assembly Project, Japan) ,  Tsunemi Eika (Department of Chemistry, Faculty of Science and Technology, Keio University, Japan) ,  Tsunemi Eika (JST, ERATO, Nakajima Designer Nanocluster Assembly Project, Japan) ,  Watanabe Yoshio (Department of Chemistry, Faculty of Science and Technology, Keio University, Japan) ,  Watanabe Yoshio (JST, ERATO, Nakajima Designer Nanocluster Assembly Project, Japan) ,  Tsunoyama Hironori (Department of Chemistry, Faculty of Science and Technology, Keio University, Japan) ,  Tsunoyama Hironori (JST, ERATO, Nakajima Designer Nanocluster Assembly Project, Japan) ,  Nakaya Masato (Department of Chemistry, Faculty of Science and Technology, Keio University, Japan) ,  Nakaya Masato (JST, ERATO, Nakajima Designer Nanocluster Assembly Project, Japan) ,  Eguchi Toyoaki (Department of Chemistry, Faculty of Science and Technology, Keio University, Japan) ,  Eguchi Toyoaki (JST, ERATO, Nakajima Designer Nanocluster Assembly Project, Japan) ,  Negishi Yuichi (Department of Applied Chemistry, Faculty of Science, Tokyo University of Science, Japan) ,  Nakajima Atsushi (Department of Chemistry, Faculty of Science and Technology, Keio University, Japan) ,  Nakajima Atsushi (JST, ERATO, Nakajima Designer Nanocluster Assembly Project, Japan) ,  Nakajima Atsushi (Keio Institute of Pure and Applied Science (KiPAS), Keio University, Japan)
資料名： Journal of Physical Chemistry C  (Journal of Physical Chemistry C)
巻： 121  号： 20  ページ： 10638-10644  発行年： 2017年 
JST資料番号： W1877A  ISSN： 1932-7447  CODEN： JPCCCK  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： チオール保護金(Au:Sr)ナノクラスタ,Au_25(SR)_18,Au_38(SR)_24,Au_144(SR)_60およびAu_333(SR)_79(R=C_12H_25)およびAuコロイドの浮遊メモリ特性を真空中で4プローブ測定を用いて調べた。Langmuir-Blodgett法によりp型Si基板上に浮遊メモリ層としてAu:SrナノクラスタまたはAuコロイドの均一で単分子層膜を形成した。フルオロポリマ(CYTOP,~15nm厚)を,疎水性絶縁層を形成するために,トップにスピンコートした。アノード電極としてAuドット(~40nm厚)を用いて,2つのプローブの接触点としてAuとCuプレート電極を用いて容量-電圧(C-V)測定を行った。Au:Srナノクラスタ又はAuコロイドから生じる時計回りヒステリシス曲線を観測し,ヒステリシス幅はAu:Srナノクラスタのサイズ及び試料温度に依存した。特に,Au_38(SR)_24ナノクラスタでは,多重相がC-V曲線で観察され,多価メモリ素子への応用を意味した。Copyright 2019 American Chemical Society All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： スピンコーティング ,  *金 ,  記憶素子 ,  プローブ ,  *チオラート ,  疎水性 ,  ストロンチウム ,  *キャラクタリゼーション ,  コロイド ,  *記憶装置 ,  *ナノクラスタ ,  ヒステリシス ,  浮遊 ,  電圧 ,  シリコンウエハ

分類 (2件)： 原子・分子のクラスタ  (BH09030O) ,  第11族,第12族元素の錯体  (CE01050Y)

タイトルに関連する用語 (5件)： チオラート ,  金ナノクラスタ ,  メモリデバイス ,  作製 ,  キャラクタリゼーション