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J-GLOBAL ID：201902282089569638   整理番号：19A1414140

B_0.14Al_0.86N/Al_0.7Ga_0.3Nヘテロ接合のバンド整列【JST・京大機械翻訳】

Band alignment of B_0.14Al_0.86N/Al_0.7Ga_0.3N heterojunction

著者 (8件)： Sun Haiding (King Abdullah University of Science and Technology (KAUST), Advanced Semiconductor Laboratory, Thuwal 23955-6900, Saudi Arabia) ,  Park Young Jae (Center for Compound Semiconductors and School of Electrical and Computer Engineering, Georgia Institute of Technology, Atlanta, Georgia 30332, USA) ,  Li Kuang-Hui (King Abdullah University of Science and Technology (KAUST), Advanced Semiconductor Laboratory, Thuwal 23955-6900, Saudi Arabia) ,  Torres Castanedo C. G. (King Abdullah University of Science and Technology (KAUST), Advanced Semiconductor Laboratory, Thuwal 23955-6900, Saudi Arabia) ,  Alowayed Abdulmohsen (King Abdullah University of Science and Technology (KAUST), Advanced Semiconductor Laboratory, Thuwal 23955-6900, Saudi Arabia) ,  Detchprohm Theeradetch (Center for Compound Semiconductors and School of Electrical and Computer Engineering, Georgia Institute of Technology, Atlanta, Georgia 30332, USA) ,  Dupuis Russell D. (Center for Compound Semiconductors and School of Electrical and Computer Engineering, Georgia Institute of Technology, Atlanta, Georgia 30332, USA) ,  Li Xiaohang (King Abdullah University of Science and Technology (KAUST), Advanced Semiconductor Laboratory, Thuwal 23955-6900, Saudi Arabia)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 111  号： 12  ページ： 122106-122106-5  発行年： 2017年 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： BAlNとAlGaN合金の大きなバンドギャップのために,それらのヘテロ接合は深紫外およびパワーエレクトロニクスデバイス応用に使用される可能性がある。しかし,このような接合のバンドアラインメントは同定されていない。本研究では,有機金属気相エピタクシーにより成長させたB_0.14Al_0.86N/Al_0.7Ga_0.3Nヘテロ接合のバンドオフセットパラメータを調べた。これらの特定の組成を選択して,深紫外およびパワーエレクトロニクス応用のための十分に大きなバンドオフセットを確保した。高分解能透過型電子顕微鏡は,急峻な界面と均一な元素分布を持つヘテロ接合の高い構造品質を確認した。B_0.14Al_0.86NとAl_0.7Ga_0.3N層の価電子帯最大値に関して,B1sとGa2p_3/2のコア準位結合エネルギーを測定するために,高分解能X線光電子分光法を用いた。次に,ヘテロ接合界面におけるB1sとGa2p3/2コア準位間のエネルギー分離を測定した。価電子帯オフセットは0.40±0.05eVと決定された。結果として,著者らは,1.10±0.05eVの伝導帯オフセットを有するスタッガードギャップ(タイプII)ヘテロ接合を同定した。B_0.14Al_0.86N/Al_0.7Ga_0.3Nヘテロ接合のバンドアラインメントの決定は,このような接合に基づく光学的および電子的デバイスの設計を容易にする。Copyright 2019 AIP Publishing LLC All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 伝導バンド ,  X線光電子スペクトル ,  MOCVD ,  パワーエレクトロニクス ,  内殻準位 ,  価電子バンド ,  バンドオフセット ,  X線光電子分光法 ,  界面 ,  *ヘテロ接合 ,  バンドギャップ ,  品質 ,  高分解能 ,  オフセット ,  合金
準シソーラス用語： 深紫外線 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 半導体結晶の電子構造  (BM02060N) ,  13-15族化合物を含む半導体-半導体接合  (BM03082Y)

タイトルに関連する用語 (2件)： ヘテロ接合 ,  バンド整列