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J-GLOBAL ID：201902282667305498   整理番号：19A2500132

In_2S_3ドープGe_2Sb_2Te_5膜の絶縁体-金属転移によるマルチレベル貯蔵性能の改善【JST・京大機械翻訳】

Improved multi-level storage performance by insulator-metal transition of In₂S₃-doped Ge₂Sb₂Te₅ films

著者 (8件)： Liu Fen (Laboratory of Infrared Materials and Devices, The Research Institute of Advanced Technologies, Ningbo University, Ningbo, Zhejiang, 315211, People’s Republic of China) ,  Liu Fen (Key Laboratory of Photoelectric Detection Materials and Devices of Zhejiang Province, Ningbo, Zhejiang, 315211, People’s Republic of China) ,  Wang Guoxiang (Laboratory of Infrared Materials and Devices, The Research Institute of Advanced Technologies, Ningbo University, Ningbo, Zhejiang, 315211, People’s Republic of China) ,  Wang Guoxiang (Key Laboratory of Photoelectric Detection Materials and Devices of Zhejiang Province, Ningbo, Zhejiang, 315211, People’s Republic of China) ,  Zhang Yawen (Laboratory of Infrared Materials and Devices, The Research Institute of Advanced Technologies, Ningbo University, Ningbo, Zhejiang, 315211, People’s Republic of China) ,  Zhang Yawen (Key Laboratory of Photoelectric Detection Materials and Devices of Zhejiang Province, Ningbo, Zhejiang, 315211, People’s Republic of China) ,  Li Chao (Laboratory of Infrared Materials and Devices, The Research Institute of Advanced Technologies, Ningbo University, Ningbo, Zhejiang, 315211, People’s Republic of China) ,  Li Chao (Key Laboratory of Photoelectric Detection Materials and Devices of Zhejiang Province, Ningbo, Zhejiang, 315211, People’s Republic of China)
資料名： Ceramics International  (Ceramics International)
巻： 45  号： 18 PA  ページ： 24090-24095  発行年： 2019年 
JST資料番号： H0705A  ISSN： 0272-8842  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 新規In_2S_3ドープGe_2Sb_2Te_5(GST)膜を調製し,それらの構造,電気的および熱的挙動を研究した。その結果,In_2S_3ドーピング濃度が3.33から4.4at%に増加すると,GSTの結晶化温度は180から210°Cに増加し,In_2S_3の量が7.77から9.35at%に増加すると185から170°Cに減少することを確認した。4.4at%のIn_2S_3ドーピング濃度を有するGST膜がすべての膜の中で最良の熱安定性を有することを実証した。一方,構造解析により,すべてのIn_2S_3ドープGST膜は,アニーリングにより,中間面心立方および熱力学的六方晶構造をもつGSTと同様の二段階結晶化挙動を示すことがわかった。さらに重要なことに,GST膜における絶縁体-金属転移(IMT)を著しく見出した。準安定相が存在する温度範囲は,中程度のIn_2S_3ドーピング濃度によって拡大することができ,GSTと比較して,多重レベル貯蔵特性を調整することを可能にした。Copyright 2019 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 熱力学 ,  準安定相 ,  *ドーピング ,  六方晶系 ,  熱安定性 ,  晶出温度 ,  構造解析 ,  多重化 ,  *金属-絶縁体転移 ,  焼なまし
準シソーラス用語： 温度範囲 ,  結晶化挙動 ,  *マルチレベル , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： フィルム ,  X線法 ,  熱的性質 ,  機能的応用

分類 (1件)： 酸化物薄膜  (BK14050P)

タイトルに関連する用語 (4件)： ドープ ,  絶縁体-金属転移 ,  マルチレベル ,  貯蔵