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J-GLOBAL ID：201902282947717512   整理番号：19A2475355

[数式:原文を参照]単結晶[数式:原文を参照]における弱い反局在と2キャリア電気輸送【JST・京大機械翻訳】

Weak antilocalization and two-carrier electrical transport in [Formula : see text] single crystals [Formula : see text]

著者 (8件)： Vu Duy Minh (Department of Physics, College of Natural and Life Science, Daegu University, Gyeongbuk 38453, Republic of Korea) ,  Shon Wonhyuk (Department of Applied Physics and Institute of Natural Sciences, Kyung Hee University, Yong-In, 17104, Republic of Korea) ,  Rhyee Jong-Soo (Department of Applied Physics and Institute of Natural Sciences, Kyung Hee University, Yong-In, 17104, Republic of Korea) ,  Sasaki M. (Department of Physics, Faculty of Science, Yamagata University, Kojirakawa, Yamagata 990-8560, Japan) ,  Ohnishi A. (Department of Physics, Faculty of Science, Yamagata University, Kojirakawa, Yamagata 990-8560, Japan) ,  Kim Ki-Seok (Department of Physics, Pohang University of Science and Technology (POSTECH), Pohang, Gyeongbuk 37673, Republic of Korea) ,  Kim Heon-Jung (Department of Physics, College of Natural and Life Science, Daegu University, Gyeongbuk 38453, Republic of Korea) ,  Kim Heon-Jung (Department of Materials-Energy Science and Engineering, College of Engineering, Daegu University, Gyeongbuk 38453, Republic of Korea)
資料名： Physical Review. B  (Physical Review. B)
巻： 100  号： 12  ページ： 125162  発行年： 2019年 
JST資料番号： D0746A  ISSN： 2469-9950  CODEN： PRBMDO  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Hall抵抗に及ぼす弱い反局在化(WAL)効果の実験的研究は,WALが単一バンド系におけるHall効果に影響を及ぼさないことが知られているので,非常に稀である。著者らは,WAL効果により修正された2バンドモデルを導出し,[数式:原文を参照]単結晶[数式:原文を参照]の低磁場磁気抵抗(MR)とHall抵抗(HR)に適用することにより,電子と正孔の両方を持つシステムにおいてこの見解を挑戦した。MRにおけるディップの同時発生とHRにおける非線形性は,[数式:原文を参照]がWALと2つの異なる電荷キャリア相互作用のまれな三次元系であることを示唆している。修正2バンドモデルは,従来の理論では捉えられないMRとHRのすべての主な特徴を記述する。修正理論に基づく定量的解析から,キャリア密度や電子や正孔の移動度などの重要なパラメータの値を推定した。修正2バンドモデルは,強いスピン-軌道相互作用と複数の明確な電荷キャリアを有する材料の電気輸送現象を理解するための固体フレームワークを提供する。Copyright 2019 The American Physical Society All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *単結晶 ,  三次元 ,  移動度 ,  同時発生 ,  Hall効果 ,  弱磁場 ,  相互作用 ,  *エレクトロトランスポート ,  磁気抵抗 ,  スピン-軌道相互作用 ,  キャリア密度 ,  浸漬 ,  正孔
準シソーラス用語： 電荷キャリア ,  *反局在 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 半導体結晶の電気伝導  (BM03043X) ,  13-15族化合物を含む半導体-半導体接合  (BM03082Y)

タイトルに関連する用語 (6件)： 数式 ,  参照 ,  単結晶 ,  反局在 ,  キャリア ,  電気輸送