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J-GLOBAL ID：201902283015499128   整理番号：19A2091582

Niマイクロめっき接合を用いたSiCパワーモジュールの高温耐性パッケージング技術【JST・京大機械翻訳】

High Temperature Resistant Packaging Technology for SiC Power Module by Using Ni Micro-Plating Bonding

著者 (14件)： Tatsumi Kohei (Waseda University) ,  Morisako Isamu (Waseda University) ,  Wada Keiko (Waseda University) ,  Fukuomori Minoru (Waseda University) ,  Iizuka Tomonori (Waseda University) ,  Sato Nobuaki (Mitsui High-tec Inc.) ,  Shimizu Koji (Mitsui High-tec Inc.) ,  Ueda Kazutoshi (Mitsui High-tec Inc.) ,  Hikita Masayuki (Kyushu Institute of Technology) ,  Kamimura Rikiya (Kitakyushu Foundation for the Advancement of Industry, Science and Technology) ,  Kawanabe Naoki (WALTS Co., LTD.) ,  Sugiura Kazuhiko (DENSO Corporation) ,  Tsuruta Kazuhiro (DENSO Corporation) ,  Toda Keiji (TOYOTA Motor Corporation)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2019  号： ECTC  ページ： 1451-1456  発行年： 2019年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： SiCパワーデバイスの性能を最大化するために,はんだ接合またはAlワイヤボンディングに代わる高温耐熱性を提供できる新しいボンディング技術が強く期待されている。HEVとEVのインバータシステムへの応用を目的として,新しく設計したリードフレームを介して電極とSiCデバイス間の狭い空間で相互接続を可能にする新しいマイクロめっき相互接続技術を開発し,そのリード表面をシェブロン形状に形成した。NMPBの接合強度に関しては,接合部は通常のPbフリーはんだ接合部よりも高い接合強度を示し,250°Cで1000時間および1000サイクルのTCT(250°C/~45°C)後でも,HTS後でさえも劣化しないことが確認された。NMPBを2対のSiC MOS-FETとSBDを用いて1脚SiCインバータ電力モジュールの製造に適用した。これは二重側面冷却構造のために新しく設計されたリードフレームと相互接続された。成形樹脂の後に,添加法によってNMPBリードの両側の外側表面上に熱膨張剤を形成した。モジュールは250°Cで安定なI-V特性と低いスイッチング損失を示した。モジュールの信頼性を,TCTsと電力サイクル試験によって確認した。Copyright 2019 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 相互接続 ,  *炭化ケイ素 ,  接合部 ,  電力 ,  リードフレーム ,  *高温 ,  付着強さ ,  *めっき ,  *耐熱性 ,  *接合 ,  ワイヤボンディング ,  アルミニウム ,  はんだ付
準シソーラス用語： 無鉛はんだ ,  *パワーモジュール , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 図形・画像処理一般  (JE04010I) ,  固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (6件)： Ni ,  めっき ,  SiC ,  パワーモジュール ,  高温耐性 ,  パッケージング技術