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J-GLOBAL ID：201902283319163861   整理番号：19A2448899

P-6.9:G8.6 LCD上の光劣化を抑制する高信頼性a-Si:H TFT【JST・京大機械翻訳】

P-6.9: High-reliability a-Si:H TFT with Repressing Photo-degradation on G8.6 LCDs

著者 (10件)： Chao Wei (Chuzhou HKC Optoelectronics Technology Co. Ltd., China) ,  An-Thung Cho (Chuzhou HKC Optoelectronics Technology Co. Ltd., China) ,  An-Thung Cho (Chongqing HKC Optoelectronics Technology Co. Ltd., China) ,  Hejing Zhang (Chongqing HKC Optoelectronics Technology Co. Ltd., China) ,  Qionghua Mo (Chongqing HKC Optoelectronics Technology Co. Ltd., China) ,  Zhen Liu (Chongqing HKC Optoelectronics Technology Co. Ltd., China) ,  Fengyun Yang (Chongqing HKC Optoelectronics Technology Co. Ltd., China) ,  Kaijun Liu (Chongqing HKC Optoelectronics Technology Co. Ltd., China) ,  James Hsu (Chuzhou HKC Optoelectronics Technology Co. Ltd., China) ,  James Hsu (Chongqing HKC Optoelectronics Technology Co. Ltd., China)
資料名： Digest of Technical Papers. SID International Symposium (Society for Information Display)  (Digest of Technical Papers. SID International Symposium (Society for Information Display))
巻： 50 Suppl S1  ページ： 779-780  発行年： 2019年 
JST資料番号： E0907A  ISSN： 0097-966X  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 水素化非晶質シリコン(a-Si:H)は,主な活性層材料としての大サイズ液晶ディスプレイ(LCD)における大量生産に依然として適用されている。本論文では,G8.6LCD上の高光学品質a-Si:H薄膜トランジスタ(TFT)の作製に成功した。ゲート絶縁層(GI)構造を再構成することにより,4マスクプロセスによるa-Si:H TFTの光安定性を向上させた。この先進的製造法を用いて,デバイスの光劣化を抑制し,光学性能を改善した。Copyright 2019 Wiley Publishing Japan K.K. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 光学的性質 ,  再構成 ,  大量生産 ,  アモルファスシリコン ,  水素化 ,  活性層 ,  *光劣化 ,  薄膜トランジスタ ,  液晶ディスプレイ
準シソーラス用語： 光安定性 ,  絶縁層 ,  光学品質 ,  高信頼性 , 【Automatic Indexing@JST】

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分類 (1件)： 表示機器  (NC06030Q)

タイトルに関連する用語 (6件)： G8 ,  LCD ,  光劣化 ,  高信頼性 ,  Si ,  TFT