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J-GLOBAL ID：201902283525489549   整理番号：19A2620093

反応性プラズマ蒸着法により成膜したW添加In₂O₃極薄膜における高Hall移動度

著者 (6件)： 古林寛 (高知工科大 総研) ,  前原誠 (住友重機械工業) ,  北見尚久 (高知工科大 総研) ,  北見尚久 (住友重機械工業) ,  酒見俊之 (住友重機械工業) ,  山本哲也 (高知工科大 総研)
資料名： 応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Autumn Meeting (CD-ROM))
巻： 80th  ページ： ROMBUNNO.21a-B31-7  発行年： 2019年09月04日 
JST資料番号： Y0055B  ISSN： 2758-4704  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

本文一部表示： はじめに:タングステン(W)添加In2O3 (IWO)多結晶薄膜は、従来の錫添加In2O3 (ITO)と比較して高Hall移動度(μH)が得られることから太陽電池透明電極への応用が進んでいる[1]。前記応用が要するシート抵抗の観点から、50...【本文一部表示】

シソーラス用語： プラズマCVD ,  *タングステン ,  *添加 ,  *酸化インジウム ,  酸化物 ,  薄膜 ,  *Hall移動度 ,  *電気抵抗率 ,  *キャリア密度
準シソーラス用語： 反応性プラズマ蒸着 ,  酸化物薄膜 ,  比抵抗

分類 (2件)： 酸化物薄膜  (BK14050P) ,  半導体結晶の電気伝導  (BM03043X)

タイトルに関連する用語 (4件)： 反応性プラズマ蒸着 ,  成膜 ,  極薄膜 ,  Hall移動度