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J-GLOBAL ID：201902283599629124   整理番号：19A2618865

GaN-WPTにおけるNd-Fe-N付コイルによる放射電磁界の抑制

著者 (6件)： 井手利英 (産業技術総合研) ,  今岡伸嘉 (産業技術総合研) ,  大森幹夫 (産業技術総合研) ,  尾崎公洋 (産業技術総合研) ,  清水三聡 (産業技術総合研) ,  高田徳幸 (産業技術総合研)
資料名： 応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Autumn Meeting (CD-ROM))
巻： 80th  ページ： ROMBUNNO.19p-PB3-24  発行年： 2019年09月04日 
JST資料番号： Y0055B  ISSN： 2758-4704  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

本文一部表示： GaNデバイスを用いた非接触給電回路(WPT)はGaNデバイスの優れた特性により高周波化・高出力化が期待できる。一方、GaN非接触給電回路の高周波化&小型化にはGaNデバイスのみならず受動部品の高周波化が欠かせない。これまではMHz以上の高...【本文一部表示】

シソーラス用語： *インダクタ ,  *窒化ガリウム ,  ネオジム化合物 ,  HF【周波数】 ,  磁性材料 ,  窒化物 ,  鉄化合物 ,  電磁場解析 ,  放射場 ,  *電気回路 ,  電力供給
準シソーラス用語： *給電回路 ,  非接触

分類 (1件)： その他の回路理論  (NA02030I)

タイトルに関連する用語 (5件)： GaN ,  Nd ,  Fe ,  放射 ,  電磁界