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J-GLOBAL ID：201902283713427866   整理番号：19A1402002

高圧水蒸気アニールによるSiO₂/GaN MOS構造のトラップ低減

Trapping reduction of SiO₂/GaN MOS structure by high pressure water vapor annealing

著者 (4件)： LIN Tengda (NAIST) ,  UENUMA Mutsunori (NAIST) ,  ISHIKAWA Yasuaki (NAIST) ,  URAOKA Yukiharu (NAIST)
資料名： 応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Spring Meeting (CD-ROM))
巻： 66th  ページ： ROMBUNNO.11p-PB3-1  発行年： 2019年02月25日 
JST資料番号： Y0054B  ISSN： 2436-7613  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

本文一部表示： 高温と電力応用のための次世代半導体である窒化ガリウムは過去10年間広く研究されてきた。商業化のための信頼性問題を改善するために,いくつかの最適化努力を,材料特性の制御からデバイス構造工学[1]へのGaNデバイスに向けて行った。著者らの研究に...【JST・京大機械翻訳】【本文一部表示】

シソーラス用語： 高圧 ,  *水蒸気 ,  *二酸化ケイ素 ,  *窒化ガリウム ,  *MOS構造 ,  *キャリア捕獲 ,  絶縁破壊
準シソーラス用語： GaN ,  *界面トラップ ,  TDDB

分類 (2件)： 金属-絶縁体-半導体構造  (BM03085X) ,  表面の電子構造  (BM02080J)

タイトルに関連する用語 (6件)： 高圧水蒸気 ,  アニール ,  SiO2 ,  GaN ,  MOS構造 ,  トラップ