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J-GLOBAL ID：201902283865528069   整理番号：19A1414950

nドープGaN層上の薄い炭素ドープGaNにおける電荷とポテンシャル再分布によるブロッキング特性の相互作用【JST・京大機械翻訳】

The interplay of blocking properties with charge and potential redistribution in thin carbon-doped GaN on n-doped GaN layers

著者 (5件)： Koller Christian (Institute of Solid State Electronics, TU Wien, Floragasse 7, 1040 Vienna, Austria) ,  Pobegen Gregor (KAI GmbH, Europastrasse 8, 9524 Villach, Austria) ,  Ostermaier Clemens (Infineon Technologies Austria AG, Siemensstrasse 2, 9500 Villach, Austria) ,  Huber Martin (Infineon Technologies Austria AG, Siemensstrasse 2, 9500 Villach, Austria) ,  Pogany Dionyz (Institute of Solid State Electronics, TU Wien, Floragasse 7, 1040 Vienna, Austria)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 111  号： 3  ページ： 032106-032106-5  発行年： 2017年 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： GaN-on-Si技術で用いられる炭素ドープGaN(GaN:C)バッファにおいて,バッファは遷移とチャネル層の間に埋め込まれる。これにより,例えば,これらの隣接層におけるキャリア注入または電位降下によるバッファ特性の解析が困難になる。本論文では,上部金属電極と底部nドープGaN(n-GaN)の間に埋め込まれた200~300nm厚GaN:C([C]=10~19cm~3)層の容量-および電流-電圧特性を解析した。このような構造はGaN:Cにおけるより良好なポテンシャル制御を可能にし,したがってバンドダイアグラムを定量的に決定することができる。バイアスによる負電荷(6×10~17cm-3までの濃度)の蓄積は,両方の極性においてGaN:Cにおいて観察された。上部電極におけるバイアスV_apl<+1.7Vに対して,負電荷はn-GaNとの界面近くでGaN:C中に蓄積し,その結果,GaN:Cは電位降下を示さず,漏れ電流を遮断した。V_appl>+1.7Vに対して,GaN:C中に蓄積された負電荷は,n-GaNからGaN:Cへの電子注入に対して約1.1eVのエネルギー障壁を上昇させた。これはGaN:Cの潜在的低下を引き起こし,著しい漏れ電流の増加をもたらす。E_V+0.7(±0.2)eVにおける一般的に参照されたアクセプタにおけるGaN:C中のFermi準位ピン止めは静電的考察からのみ抽出される。炭素アクセプタの占有変化は,転位に関連した伝導経路が上部金属電極から炭素欠陥へのキャリア輸送に関与すると考えられるトラッピング過程に起因する。Copyright 2019 AIP Publishing LLC All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： Fermi準位 ,  バイアス ,  負電荷 ,  *炭素 ,  *再分布 ,  *ドーピング ,  *窒化ガリウム ,  界面 ,  *ブロッキング ,  電流電圧特性 ,  電位 ,  アクセプタ ,  漏れ電流 ,  キャリア注入
準シソーラス用語： 金属電極 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (8件)： ドープ ,  GaN ,  炭素 ,  電荷 ,  ポテンシャル ,  再分布 ,  ブロッキング ,  相互作用