文献

J-GLOBAL ID：201902283965057727   整理番号：19A1827360

改良ゲートスタック表面調製によるSi不動態化Ge nFinFETにおける記録GM_SAT/SS_SATとPBTI信頼性【JST・京大機械翻訳】

A record Gm_SAT/SS_SAT and PBTI reliability in Si-passivated Ge nFinFETs by improved gate stack surface preparation

著者 (20件)： Arimura H. (imec, Kapeldreef 75, Leuven, B-3001, Belgium) ,  Cott D. (imec, Kapeldreef 75, Leuven, B-3001, Belgium) ,  Boccardi G. (imec, Kapeldreef 75, Leuven, B-3001, Belgium) ,  Loo R. (imec, Kapeldreef 75, Leuven, B-3001, Belgium) ,  Wostyn K. (imec, Kapeldreef 75, Leuven, B-3001, Belgium) ,  Brus S. (imec, Kapeldreef 75, Leuven, B-3001, Belgium) ,  Capogreco E. (imec, Kapeldreef 75, Leuven, B-3001, Belgium) ,  Opdebeeck A. (imec, Kapeldreef 75, Leuven, B-3001, Belgium) ,  Witters L. (imec, Kapeldreef 75, Leuven, B-3001, Belgium) ,  Conard T. (imec, Kapeldreef 75, Leuven, B-3001, Belgium) ,  Suhard S. (imec, Kapeldreef 75, Leuven, B-3001, Belgium) ,  Van Dorp D. (imec, Kapeldreef 75, Leuven, B-3001, Belgium) ,  Kenis K. (imec, Kapeldreef 75, Leuven, B-3001, Belgium) ,  Ragnarsson L.-A. (imec, Kapeldreef 75, Leuven, B-3001, Belgium) ,  Mitard J. (imec, Kapeldreef 75, Leuven, B-3001, Belgium) ,  Holsteyns F. (imec, Kapeldreef 75, Leuven, B-3001, Belgium) ,  De Heyn V. (imec, Kapeldreef 75, Leuven, B-3001, Belgium) ,  Mocuta D. (imec, Kapeldreef 75, Leuven, B-3001, Belgium) ,  Collaert N. (imec, Kapeldreef 75, Leuven, B-3001, Belgium) ,  Horiguchi N. (imec, Kapeldreef 75, Leuven, B-3001, Belgium)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2019  号： VLSI Technology  ページ： T92-T93  発行年： 2019年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： RMG高k最終プロセスを改善することにより,記録的に高いG_mSAΓ/SS_SATとPBTI信頼性を有するGe nFinFETを実証した。SiO_2ダミーゲート酸化物(DGO)堆積と除去プロセスは,名目上同一のSi不動態化Geゲートスタックにおいてさえ,電子移動度とPBTI信頼性を改善するためのノブとして同定されている。DGO堆積中のGeチャネルの表面酸化は最終ゲートスタックに影響すると考えられる。Geチャネル表面酸化を抑制することにより,フィン幅の減少に伴う移動度の増加が得られた。一方,高電界移動度と同様に,PBTI信頼性,スケールフィンのD_ITは,DGOのin situクリーンプロセスを拡張することにより改善され,73nm Lgで5.4の記録的Gm_SAT/SS_SATをもたらした。Copyright 2019 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *ケイ素 ,  *不動態化 ,  *ゲルマニウム ,  移動度 ,  フィン ,  チャネル ,  *信頼性
準シソーラス用語： 高電場 ,  表面酸化 ,  電子移動度 ,  ゲート酸化膜 ,  一酸化ケイ素 ,  *正バイアス温度不安定性 ,  *ゲートスタック , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 図形・画像処理一般  (JE04010I)

タイトルに関連する用語 (6件)： ゲートスタック ,  調製 ,  Si ,  不動態化 ,  Ge ,  PBTI