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J-GLOBAL ID：201902284649046087   整理番号：19A1174911

高速(>100Gbaud)光学素子のためのフリップチップ相互接続技術(Hi-FIT)に基づく高周波及び集積設計

High-Frequency and Integrated Design Based on Flip-Chip Interconnection Technique (Hi-FIT) for High-Speed (>100 Gbaud) Optical Devices

著者 (10件)： KANAZAWA Shigeru (NTT Device Innovation Center, NTT Corporation) ,  YAMAZAKI Hiroshi (NTT Device Technology Laboratories, NTT Corporation) ,  UEDA Yuta (NTT Device Innovation Center, NTT Corporation) ,  KOBAYASHI Wataru (NTT Device Technology Laboratories, NTT Corporation) ,  OGISO Yoshihiro (NTT Device Innovation Center, NTT Corporation) ,  OZAKI Johsuke (NTT Device Innovation Center, NTT Corporation) ,  SHINDO Takahiko (NTT Device Innovation Center, NTT Corporation) ,  TSUNASHIMA Satoshi (NTT Device Innovation Center, NTT Corporation) ,  TANOBE Hiromasa (NTT Device Innovation Center, NTT Corporation) ,  ARARATAKE Atsushi (NTT Device Technology Laboratories, NTT Corporation)
資料名： IEICE Transactions on Electronics (Web)  (IEICE Transactions on Electronics (Web))
巻： E102.C  号： 4  ページ： 340-346(J-STAGE)  発行年： 2019年 
JST資料番号： U0468A  ISSN： 1745-1353  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 高変調帯域幅を提供するワイヤフリー相互接続技術として,フリップチップ相互接続技術(Hi-FIT)に基づく高周波と集積設計を開発した。Hi-FITは種々の高速(>100Gbaud)光学素子に適用できる。Hi-FIT EA-DFBレーザモジュールは59GHzの3dB帯域幅を有する。また,107Gbaudでの4強度レベルのパルス振幅変調(PAM)動作により10kmのSMF伝送後でも,7%オーバーヘッド(OH)ハード決定フォワード誤差補正(HD-FEC)符号を用いることにより,誤りのない条件である3.8×0~3以下のビット誤り率(BER)を得た。InP-MZMサブアセンブリを用いたHi-FITの3dB帯域幅は67GH以上であり,測定装置の限界であった。また,120GbaudレートIQ変調を実証した。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *電気回路 ,  *集積回路 ,  *光学素子 ,  *高速度 ,  フェースボンディング ,  *相互接続 ,  帯域幅 ,  レーザ ,  PAM【信号】 ,  誤り訂正 ,  *HF【周波数】
準シソーラス用語： オーバヘッド ,  パルス振幅変調 ,  フリップチップ接続 ,  誤差補正 ,  *高周波 ,  変調帯域幅

著者キーワード (4件)： フリップチップ ,  EA-DFBレーザ ,  Mach-Zehnder変調器 ,  包装

分類 (2件)： 光デバイス一般  (BD06010L) ,  光変調器  (BD06020W)

引用文献 (15件)：

• [1] IEEE P802.3ba 40Gb/s and 100Gb/s Ethernet Task Force: http://ieee802.org/3/ba/.
• [2] 100G Lambda MSA: http://100glambda.com/.
• [3] Optical Internetworking Forum: http://www.oiforum.com/.
• [4] S. Kanazawa, T. Fujisawa, A. Ohki, H. Ishii, N. Nunoya, Y. Kawaguchi, N. Fujiwara, K. Takahata, R. Iga, F. Kano, and H. Oohashi, “A compact EADFB laser array module for a future 100-Gb/s Ethernet transceiver,” IEEE J. Sel. Top. Quantum Electron., vol.17, no.5, pp.1191-1197, Sep./Oct. 2011. 10.1109/jstqe.2011.2124446
• [5] W. Kobayashi, T. Yamanaka, M. Arai, N. Fujiwara, T. Fujisawa, K. Tsuzuki, T. Ito, T. Tadokoro, and F. Kano, “Wide temperature range operation of a 1.55-μm 40-Gb/s electroabsorption modulator integrated DFB laser for very short-reach applications,” IEEE Photon. Technol. Lett., vol.21, no.18, pp.1317-1319, Sept. 2009. 10.1109/lpt.2009.2026485

タイトルに関連する用語 (6件)： 光学素子 ,  フリップチップ ,  相互接続 ,  高周波 ,  集積 ,  設計