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J-GLOBAL ID：201902286077851412   整理番号：19A1798792

真空蒸着により作製したビスマス媒介Geナノドットの形成機構に関する研究

Study on the formation mechanism of bismuth-mediated Ge nanodots fabricated by vacuum evaporation

著者 (9件)： TSUSHIMA Kazuto (Hirosaki Univ., Aomori, JPN) ,  TAKITA Kensuke (Hirosaki Univ., Aomori, JPN) ,  TAKITA Kensuke (Hokkaido Electric Power Co., Inc.) ,  NAKAZAWA Hideki (Hirosaki Univ., Aomori, JPN) ,  TAWARA Takehiko (NTT Basic Res. Lab., Kanagawa, JPN) ,  TATENO Kouta (NTT Basic Res. Lab., Kanagawa, JPN) ,  ZHANG Guoqiang (NTT Basic Res. Lab., Kanagawa, JPN) ,  GOTOH Hideki (NTT Basic Res. Lab., Kanagawa, JPN) ,  OKAMOTO Hiroshi (Hirosaki Univ., Aomori, JPN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics  (Japanese Journal of Applied Physics)
巻： 58  号： SD  ページ： SDDG10.1-SDDG10.5  発行年： 2019年06月 
JST資料番号： G0520B  ISSN： 0021-4922  CODEN： JJAPB6  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

シソーラス用語： *ナノ構造 ,  *ゲルマニウム ,  *ビスマス ,  *真空蒸着 ,  結晶成長 ,  透過型走査電子顕微鏡 ,  原子間力顕微鏡 ,  エネルギー分散X線分光分析 ,  Auger分光法 ,  焼なまし
準シソーラス用語： *ナノドット ,  HAADF-STEM ,  AFM【顕微鏡】 ,  EDX分析 ,  Auger電子分光 ,  アニール

分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

引用文献 (34件)：

• M. S. Skolnick and D. J. Mowbray, Physica E 21, 155 (2004).
• H. Presting, J. Konle, H. Kibbel, and F. Banhart, Physica E 14, 249 (2002).
• A. Alguno, N. Usami, T. Ujihara, K. Fujiwara, G. Sazaki, K. Nakajima, and Y. Shiraki, Appl. Phys. Lett. 83, 1258 (2003).
• B. Liu, J. Hu, L. Jia, J. Liu, X. Ren, X. Zhang, X. Guo, and S. Liu, Sol. Energy 167, 102 (2018).
• J. Yu, E. Kasper, and M. Oehme, Thin Solid Films 508, 396 (2006).

タイトルに関連する用語 (6件)： 真空蒸着 ,  作製 ,  ビスマス ,  Ge ,  ナノドット ,  研究