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J-GLOBAL ID：201902286120295324   整理番号：19A1414529

マルチレベルセルNANDメモリ応用のためのIGZO薄膜トランジスタにおける均一酸化物スタック【JST・京大機械翻訳】

Homogeneous-oxide stack in IGZO thin-film transistors for multi-level-cell NAND memory application

著者 (4件)： Ji Hao (Central of Nano-electronics, School of Microelectronics, Shandong University, Jinan 250100, China) ,  Wei Yehui (Central of Nano-electronics, School of Microelectronics, Shandong University, Jinan 250100, China) ,  Zhang Xinlei (Central of Nano-electronics, School of Microelectronics, Shandong University, Jinan 250100, China) ,  Jiang Ran (Central of Nano-electronics, School of Microelectronics, Shandong University, Jinan 250100, China)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 111  号： 20  ページ： 202102-202102-5  発行年： 2017年 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 非晶質インジウム-ガリウム-亜鉛-オキシド薄膜トランジスタに基づく不揮発性電荷トラップフラッシュメモリを,多準位セル応用のための均一酸化物構造を用いて作製した。すべての酸化物層,すなわちトンネル層,電荷トラッピング層,およびブロッキング層をAl_2O_3膜で作製した。電荷捕獲層の作製条件(温度と堆積法を含む)は他の酸化物層のそれらとは異なっていた。このデバイスは,完全に消去され,14V未満の動作電圧でプログラムされた状態間で,4Vのかなり大きなメモリウィンドウを実証した。この種のデバイスは,マルチレベルセルメモリ応用に対して良好な見通しを示した。Copyright 2019 AIP Publishing LLC All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 非揮発性 ,  フラッシュメモリ ,  *記憶装置 ,  *酸化物 ,  アルミニウム ,  非晶質 ,  *薄膜トランジスタ ,  酸化層
準シソーラス用語： 動作電圧 ,  ブロッキング層 ,  電荷捕獲 ,  *酸化インジウム・ガリウム・亜鉛 ,  NAND , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (3件)： 金属-絶縁体-半導体構造  (BM03085X) ,  半導体集積回路  (NC03162T) ,  トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (8件)： マルチレベル ,  セル ,  NAND ,  応用 ,  IGZO ,  薄膜トランジスタ ,  酸化物 ,  スタック