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J-GLOBAL ID：201902286555820504   整理番号：19A1143161

NH_3ソース分子ビームエピタクシーにより成長させたEuおよびMg共ドープGaNの単一光学サイトの観察【JST・京大機械翻訳】

Observation of single optical site of Eu and Mg codoped GaN grown by NH₃-source molecular beam epitaxy

著者 (6件)： Sekiguchi Hiroto (Department of Electrical and Electronic Information Engineering, Toyohashi University of Technology, Toyohashi, Aichi 441-8580, Japan) ,  Sakai Masaru (Department of Research Interdisciplinary Graduate School of Medicine and Engineering Division of Engineering Electromechanical and Information System Engineering, University of Yamanashi, Kofu, Yamanashi 400-8510, Japan) ,  Kamada Takuho (Department of Electrical and Electronic Information Engineering, Toyohashi University of Technology, Toyohashi, Aichi 441-8580, Japan) ,  Yamane Keisuke (Department of Electrical and Electronic Information Engineering, Toyohashi University of Technology, Toyohashi, Aichi 441-8580, Japan) ,  Okada Hiroshi (Institute of Liberal Arts and Sciences, Toyohashi University of Technology, Toyohashi, Aichi 441-8580, Japan) ,  Wakahara Akihiro (Department of Electrical and Electronic Information Engineering, Toyohashi University of Technology, Toyohashi, Aichi 441-8580, Japan)
資料名： Journal of Applied Physics  (Journal of Applied Physics)
巻： 125  号： 17  ページ： 175702-175702-5  発行年： 2019年 
JST資料番号： C0266A  ISSN： 0021-8979  CODEN： JAPIAU  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： EuドープGaN(GaN:Eu)はその理想的な量子レベルのために量子情報デバイスの有望な固体材料である。しかし,Euイオンにアクセスするためには,Eu濃度の減少と光学サイトの統一がこれらのデバイスに必要である。本論文では,Mg共ドープGaN:Euの光学特性に及ぼすEu濃度の影響を評価した。Euイオンからの光ルミネセンス強度は,1×10~19cm-3までのEu濃度の増加とともに直線的に増加し,それを超えると強度は飽和した。これは,低Eu濃度の範囲でEu濃度の増加とともに,大きな励起断面積を持つ620.5nm(サイトA)での鋭いルミネセンス線の増加から生じた。過剰のEu濃度は,低い移動効率または不活性なサイトを持つ他のタイプの光学サイトの形成をもたらす。3×10~18cm-3の低いEu濃度では,サイトAに対応する特定の光学サイトを除くすべての光学サイトが消失し,光学サイトの統合が示唆された。この結果は量子情報デバイスの実現に有用であると期待される。Copyright 2019 AIP Publishing LLC All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： MBE成長 ,  量子情報 ,  ルミネセンス ,  光学的性質 ,  *ユウロピウム ,  *ドーピング ,  光ルミネセンス ,  *窒化ガリウム
準シソーラス用語： 励起断面積 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 無機化合物のルミネセンス  (BM08093J) ,  半導体のルミネセンス  (BM08092S)

タイトルに関連する用語 (9件)： ソース ,  分子ビームエピタクシー ,  成長 ,  Eu ,  Mg ,  ドープ ,  GaN ,  光学 ,  観察