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J-GLOBAL ID：201902286865491953   整理番号：19A1827362

SiGeチャネルCMOS 絶縁破壊とBias温度不安定性トレードオフの理解【JST・京大機械翻訳】

SiGe Channel CMOS: Understanding Dielectric Breakdown and Bias Temperature Instability Tradeoffs

著者 (6件)： Southwick R. G. (IBM Research, 257 Fuller Road Suite 3100, Albany, NY, 12203) ,  Wang M. (IBM Research, 257 Fuller Road Suite 3100, Albany, NY, 12203) ,  Mochizuki S. (IBM Research, 257 Fuller Road Suite 3100, Albany, NY, 12203) ,  Miao X. (IBM Research, 257 Fuller Road Suite 3100, Albany, NY, 12203) ,  Li J. (IBM Research, 257 Fuller Road Suite 3100, Albany, NY, 12203) ,  Lee C. H. (IBM Research, 257 Fuller Road Suite 3100, Albany, NY, 12203)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2019  号： VLSI Technology  ページ： T96-T97  発行年： 2019年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： n/pFETの破壊とバイアス温度不安定性を,異なる歪緩和バッファ上のSiGeチャネルの広い組成について調べた。本研究では,低Ge%SiGe nFinFETのAC/DC PBTI傾向における最初の詳細な調査を示した。絶縁破壊は,研究した領域上のチャネル組成に大きく依存しないことを示した。最後に,Siと比較して寿命末期性能の利点を計算し,技術要素としてのCMOS SiGeの潜在的利点を実証した。Copyright 2019 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *不安定性 ,  *絶縁破壊 ,  *チャネル ,  *ケイ素 ,  *CMOS
準シソーラス用語： 正バイアス温度不安定性 ,  歪緩和 ,  バイアス温度不安定性 ,  *シリコンゲルマニウム , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 図形・画像処理一般  (JE04010I) ,  音声処理  (JE05000E)

タイトルに関連する用語 (7件)： SiGe ,  チャネル ,  CMOS ,  絶縁破壊 ,  不安定性 ,  トレードオフ ,  理解