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J-GLOBAL ID：201902286888267724   整理番号：19A1263007

CdSe薄膜の構造,光学および電気特性における厚み依存変化【JST・京大機械翻訳】

Thickness dependent variation in structural, optical and electrical properties of CdSe thin films

著者 (2件)： Choudhary Ritika (Department of Physics, National Institute of Technology, Kurukshetra, Haryana, India) ,  Chauhan R. P. (Department of Physics, National Institute of Technology, Kurukshetra, Haryana, India)
資料名： Journal of Materials Science. Materials in Electronics  (Journal of Materials Science. Materials in Electronics)
巻： 30  号： 6  ページ： 5753-5759  発行年： 2019年 
JST資料番号： W0003A  ISSN： 0957-4522  CODEN： JMTSAS  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 種々の厚さのセレン化カドミウム(CdSe)薄膜を,硫酸カドミウム(3CdSO_4 8H_2O)と二酸化セレン(SeO_2)溶液を含む浴を用いた電着法によりITOガラス基板上に堆積した。これらの薄膜の構造的,光学的および電気的特性をX線回折(XRD),UV-Vis分光光度計および電流-電圧(I-V)源計を用いた四つのプローブセットアップによって解析した。XRD研究は,薄膜が立方晶構造を有する多結晶性を有することを確認した。半値全幅の減少とピーク強度の増加は,CdSe薄膜の結晶特性が膜厚とともに増大することを明らかにした。光学解析により,CdSe薄膜は,厚さの増加とともに,2.67から2.47eVに減少する直接バンドギャップを有することを示した。さらに,光ルミネセンス分析により,厚さのCdSe薄膜の光学的品質の向上を明らかにした。電気分析(I-V特性)は,CdSe薄膜の抵抗率が厚さの増加と共に減少することを示した。CdSe膜の厚さの増加に伴う抵抗率の減少は薄膜中の結晶化の増大にも対応した。Copyright 2019 Springer Science+Business Media, LLC, part of Springer Nature Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 光ルミネセンス ,  X線回折 ,  電着 ,  多結晶 ,  *セレン化カドミウム ,  立方晶系 ,  電気抵抗率 ,  *薄膜 ,  FWHM ,  電気的性質 ,  電圧 ,  結晶化 ,  膜厚 ,  プローブ
準シソーラス用語： 直接バンドギャップ , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (3件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  固体デバイス材料  (NC03020K) ,  太陽電池  (NC03084O)

タイトルに関連する用語 (5件)： CdSe ,  薄膜 ,  光学 ,  電気特性 ,  厚み