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J-GLOBAL ID:201902286989930735   整理番号:19A1413957

原子層堆積SiO_2/Al_2O_3スタックによるn型ドープブラックシリコンの表面不動態化【JST・京大機械翻訳】

Surface passivation of n-type doped black silicon by atomic-layer-deposited SiO2/Al2O3 stacks
著者 (6件):
資料名:
巻: 110  号: 26  ページ: 263106-263106-4  発行年: 2017年 
JST資料番号: H0613A  ISSN: 0003-6951  CODEN: APPLAB  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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黒色シリコン(b-Si)ナノ組織は,結晶シリコン太陽電池の光吸収を著しく高めることができる。それにもかかわらず,工業的に関連する太陽電池アーキテクチャにおけるb-Siテクスチャの応用の成功に対して,特に高度にn型のドープされた黒色Si表面における電荷キャリア再結合がさらに抑制されることが必須である。本研究では,原子層堆積Al_2O_3膜またはSiO_2/Al_2O_3積層により不動態化された低および高ドープb-Si表面を系統的に研究することにより,この問題に取り組んだ。低ドープb-Si集合組織では,Al_2O_3による表面不動態化後に,16fA/cm2の非常に低い表面再結合因子が見出された。優れた不動態化は,表面不動態化前の専用湿式化学処理後に達成され,b-Si表面下に存在する構造欠陥を除去した。高度にn型ドープしたb-Si上では,SiO_2/Al_2O_3積層はAl_2O_3単層と比較して表面不動態化のかなりの改善をもたらす。したがって,原子層堆積SiO_2/Al_2O_3スタックは,低温,工業的に実行可能な不動態化法を提供し,工業用シリコン太陽電池における高n型ドープb-Siナノ組織の応用を可能にした。Copyright 2019 AIP Publishing LLC All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】
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酸化物薄膜 
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