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J-GLOBAL ID：201902286993232115   整理番号：19A1414333

InPに整合した低ドープn-InGaAs格子における重および軽正孔少数キャリア輸送特性【JST・京大機械翻訳】

Heavy and light hole minority carrier transport properties in low-doped n-InGaAs lattice matched to InP

著者 (2件)： Walker Alexandre W. (National Research Council of Canada, 1200 Montreal Road, M-50, Ottawa, Ontario K1A 0R6, Canada) ,  Denhoff Mike W. (National Research Council of Canada, 1200 Montreal Road, M-50, Ottawa, Ontario K1A 0R6, Canada)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 111  号： 16  ページ： 162107-162107-5  発行年： 2017年 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： InP/InGaAs二重ヘテロ構造を用いた低ドープn-InGaAsにおける少数キャリア拡散長を簡単な電気技術を用いて報告した。重い正孔と軽い正孔からの寄与も,少数キャリア移動度と寿命を含むこの方法を用いて抽出した。重い正孔は,それらのより高い価電子バンド状態密度による輸送を最初に支配するが,大きな拡散距離では,光ホールは,それらのより大きな拡散長さのために,支配的になる。重い正孔は室温で8.4×10~15cm-3のn-InGaAsドーピングに対して54.5±0.6μmの拡散長をもつが,光ホールは140μmを超える拡散長をもつことが分かった。重い正孔は692±63cm2/Vsの移動度と1.7±0.2μsの寿命を示し,一方,光ホールは6200±960cm-2/Vsの移動度と2.6±1.0μsのわずかに長い寿命を示した。低注入条件に限定された提示した方法は,少数キャリア輸送特性を正確に解くことができる。Copyright 2019 AIP Publishing LLC All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *ドーピング ,  移動度 ,  拡散距離 ,  キャリア移動度 ,  価電子バンド ,  *リン化インジウム ,  *正孔 ,  *少数キャリア ,  状態密度 ,  *ヒ化ガリウムインジウム
準シソーラス用語： 軽い正孔 ,  重い正孔 ,  ヘテロ構造 ,  *輸送特性 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  半導体と絶縁体の電気伝導一般  (BM03041P)

タイトルに関連する用語 (8件)： InP ,  整合 ,  ドープ ,  InGaAs ,  格子 ,  正孔 ,  少数キャリア ,  輸送特性