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J-GLOBAL ID：201902287048958996   整理番号：19A1415802

p型GaNナノワイヤのドーピング過程:第一原理研究【JST・京大機械翻訳】

Doping process of p-type GaN nanowires: A first principle study

著者 (4件)： Xia Sihao (Department of Optoelectronic Technology, School of Electronic and Optical Engineering, Nanjing University of Science and Technology, Nanjing 210094, China) ,  Liu Lei (Department of Optoelectronic Technology, School of Electronic and Optical Engineering, Nanjing University of Science and Technology, Nanjing 210094, China) ,  Diao Yu (Department of Optoelectronic Technology, School of Electronic and Optical Engineering, Nanjing University of Science and Technology, Nanjing 210094, China) ,  Feng Shu (Department of Optoelectronic Technology, School of Electronic and Optical Engineering, Nanjing University of Science and Technology, Nanjing 210094, China)
資料名： Journal of Applied Physics  (Journal of Applied Physics)
巻： 122  号： 13  ページ： 135102-135102-8  発行年： 2017年 
JST資料番号： C0266A  ISSN： 0021-8979  CODEN： JAPIAU  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： GaNナノワイヤのp型ドーピングの過程を第一原理から出発する計算を用いて調べた。異なるドーピング元素,サイト,タイプおよび濃度の影響を検討した。結果は,Mgがそのより強い安定性のためにBeとZnに比べて最適なドーパントであるが,Be原子はナノワイヤの空間に存在する傾向があることを示唆する。相互にドープしたGaNナノワイヤは顕著なn型伝導率を示し,Beは適当なドーパントではなく,内部置換ドーパントを持つ系は表面置換を持つ系よりも好ましいと期待される。格子間と置換ドーピングの両方がドーパント近傍の原子構造に影響し,ドーパントと隣接原子間の電荷移動を誘起する。ドーピングサイトと濃度を変えることにより,ナノワイヤ原子構造はほぼ一定のままである。置換ドーピングモデルはp型伝導率を示し,ドーピング濃度4%のMgドープナノワイヤは最も強いp型伝導率を示した。全てのドーピング配置は直接バンドギャップ半導体である。本研究は,高品質GaNナノワイヤの調製を指示することが期待される。Copyright 2019 AIP Publishing LLC All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 電荷移動 ,  半導体 ,  *ドーピング ,  *第一原理 ,  原子構造 ,  *窒化ガリウム ,  *ナノワイヤ ,  マグネシウム ,  亜鉛 ,  ベリリウム ,  ドーパント
準シソーラス用語： 高品質 ,  直接バンドギャップ ,  伝導率 ,  p型ドーピング , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (3件)： 半導体結晶の電気伝導  (BM03043X) ,  半導体の格子欠陥  (BK12040Q) ,  半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (6件)： GaN ,  ナノワイヤ ,  ドーピング ,  過程 ,  第一原理 ,  研究